本揭露關(guān)于一種生成布局圖案的方法及用于生成布局圖案的控制系統(tǒng)，特別是關(guān)于一種在光阻層上方形成頂層后形成布局圖案的方法及用于生成布局圖案的控制系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
1、在集成電路(integrated?circuit；ic)設(shè)計期間，生成用于ic處理的不同步驟的許多ic布局圖案。布局圖案包括對應(yīng)于待在晶圓上制造的結(jié)構(gòu)的幾何形狀。布局圖案可為遮罩上的圖案，此圖案投影(例如，成像)在晶圓上的光阻層上以產(chǎn)生ic。一種微影制程將遮罩的圖案轉(zhuǎn)印至晶圓的光阻層，使得僅將蝕刻、注入、或其他步驟應(yīng)用至晶圓的預(yù)定區(qū)域。將遮罩的圖案轉(zhuǎn)印至光阻層的步驟可通過極紫外(extreme?ultraviolet；euv)輻射來執(zhí)行以曝光晶圓的光阻層。生成euv輻射的源極(極紫外輻射源/euv光源)亦可生成輻射，此輻射包括帶外波長(out-of-band?wavelengths)，尤其在深紫外(deep?ultraviolet；duv)范圍中。euv光源的帶外duv輻射在成像期間可變得更加深，例如，當(dāng)在反射遮罩上使用薄膜時，因為帶外duv輻射主要由薄膜反射。同時，euv光源的帶外duv輻射可使晶圓上遮罩的聚焦退化，因為聚焦系統(tǒng)經(jīng)設(shè)計以使用euv輻射產(chǎn)生布局圖案的聚焦影像。因而，通過euv光源的帶外duv輻射的額外曝光可產(chǎn)生布局圖案的模糊影像，并且因而可能使特征尺寸(criticaldimension；cd)均勻性退化。期望有效制程而不影響euv輻射，以在由euv光源生成的輻射到達(dá)光阻材料以提高cd均勻性之前，從由euv光源生成的輻射移除帶外duv輻射。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、根據(jù)本揭露的一些實施例，一種生成布局圖案的方法包括將一光阻層設(shè)置在一基板上；將具有一厚度的一頂層設(shè)置于該光阻層上方且接觸光阻層，其中頂層具有對于一極紫外輻射為透明的一苯環(huán)結(jié)構(gòu)，并且其中頂層對于一深紫外輻射為不透明的，其中將頂層設(shè)置于光阻層上方包括：選擇深紫外輻射的一波長；以及基于波長確定頂層的厚度；使用由一極紫外輻射源生成的一輻射照射光阻層，其中輻射用以穿過頂層以曝光光阻層；自光阻層移除頂層；在移除頂層后，執(zhí)行一曝光后烘烤操作；以及在執(zhí)行曝光后烘烤操作后，對光阻層施加一顯影劑。
2、根據(jù)本揭露的一些實施例，一種生成布局圖案的方法包括透過一主控制器，接收來自一極紫外輻射源產(chǎn)生的一帶外深紫外輻射的一信息；透過耦接至主控制器的一分析器模塊，基于帶外深紫外輻射的信息，確定一頂層的一厚度和一材料，其中確定頂層的厚度包括:確定帶外深紫外輻射的一波長；以及基于帶外深紫外輻射的波長和一公式，計算頂層的厚度，其中公式為：d＝(2m+1)cos(a)w/4，其中d為厚度，w為波長，a為帶外深紫外輻射和垂直于頂層的一線的一夾角，m為零或正整數(shù)；將一光阻層設(shè)置在一基板上；經(jīng)由主控制器，將厚度自分析器模塊傳送至一層設(shè)置控制器，以將層沉積在光阻層上，其中層具有厚度；使用由極紫外輻射源生成的一輻射照射光阻層，其中輻射用以穿過頂層以曝光光阻層；自光阻層移除頂層；在移除頂層后，執(zhí)行一曝光后烘烤操作；以及在執(zhí)行曝光后烘烤操作后，對光阻層施加一顯影劑。
3、根據(jù)本揭露的一些實施例，一種控制系統(tǒng)包括一主控制器，配置于接收來自一極紫外輻射源產(chǎn)生的一帶外深紫外輻射的一信息；一分析器模塊，耦接至主控制器，且配置于基于帶外深紫外輻射的信息，確定一頂層的一厚度和一材料；一層設(shè)置控制器，耦接至主控制器，且配置于：接收透過主控制器傳送來自分析器模塊的頂層的厚度和材料；以及將層沉積在光阻層上，其中層具有厚度，且具有一苯環(huán)結(jié)構(gòu)；一極紫外輻射曝光控制器，耦接至至主控制器，且配置于使用由極紫外輻射源生成的一輻射照射光阻層，其中輻射用以穿過頂層以曝光光阻層。
1.一種生成布局圖案的方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生成布局圖案的方法，其特征在于，還包括以下步驟：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的生成布局圖案的方法，其特征在于，其中基于該波長確定該頂層的該厚度包括以下步驟：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的生成布局圖案的方法，其特征在于，其中該分析器模塊將該厚度傳遞至一層設(shè)置控制器以沉積具有該厚度的該頂層在該光阻層上。
5.一種生成布局圖案的方法，其特征在于，包括以下步驟：
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的生成布局圖案的方法，其特征在于，其中該頂層具有一苯環(huán)結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的生成布局圖案的方法，其特征在于，其中該極紫外輻射源生成的該輻射的一波長在10nm與100nm之間，該帶外深紫外輻射的該波長在190nm至365nm之間。
8.一種控制系統(tǒng)，其特征在于，包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的控制系統(tǒng)，其特征在于，還包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的控制系統(tǒng)，其特征在于，其中該該極紫外輻射源生成的該輻射的一波長在10nm與100nm之間，該帶外深紫外輻射的該波長在190nm至365nm之間。