本申請(qǐng)涉及光伏組件傳送運(yùn)輸，具體為提供一種熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備用的控溫方法和控溫裝置及使用其的熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備。
背景技術(shù)：
1、熱絲化學(xué)氣相沉積(hot?filament?chemical?vapor?deposition，簡稱hofcvd)設(shè)備作為新興的一種大型鍍膜設(shè)備，具有成膜速率高、鍍膜均勻性好、無離子損傷等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)應(yīng)用到晶硅異質(zhì)結(jié)太陽電池片鍍膜領(lǐng)域。晶硅異質(zhì)結(jié)路線作為低溫鍍膜工藝，襯底溫度的精準(zhǔn)控制尤為重要，一旦超溫至200℃以上，會(huì)引起非晶硅膜層的損傷。當(dāng)前豎式載板hofcvd設(shè)備主流的測(cè)溫方式是紅外測(cè)溫法：在載板背面貼合一石墨片，通過設(shè)置對(duì)應(yīng)的發(fā)射率(石墨片發(fā)射率0.85)，使得紅外測(cè)溫儀接收到石墨片發(fā)射出的紅外輻射光，經(jīng)過處理，得到載板溫度。該方式在測(cè)量高溫時(shí)精度較好，但在低溫區(qū)間(30℃～200℃)測(cè)溫準(zhǔn)確性較差。
2、此外，hofcvd設(shè)備屬于高真空鍍膜設(shè)備，該類型腔體加熱方式通常有加熱板接觸式加熱以及熱絲輻射加熱，針對(duì)豎式載板，加熱板接觸式加熱設(shè)計(jì)難度大，很難用于hofcvd設(shè)備的量產(chǎn)化，目前這種方案還未見有報(bào)道。因此，豎式載板hofcvd設(shè)備往往采用熱絲輻射加熱，該方式通過給熱絲通入大電流，使其溫度急劇升高并發(fā)出紅外輻射，達(dá)到給載板加熱的目的。由于紅外測(cè)溫儀的工作原理是通過接收紅外輻射來測(cè)定溫度，因此這就導(dǎo)致一、紅外測(cè)溫儀在工作時(shí)不僅會(huì)接收到石墨片發(fā)出的紅外輻射，還會(huì)收集一部分熱絲加熱時(shí)發(fā)出的紅外輻射，對(duì)測(cè)溫結(jié)果造成干擾；二、石墨片本身熱容小，升溫快，并不能真實(shí)反應(yīng)載板的溫度，與載板真實(shí)溫差在10～30℃；三、溫度越低，紅外輻射越少，測(cè)量準(zhǔn)確性越差，異質(zhì)結(jié)工藝路線需求的載板溫度≤200℃，在該溫度區(qū)間內(nèi)，紅外測(cè)溫儀很難實(shí)現(xiàn)比較準(zhǔn)確的測(cè)溫，會(huì)引起5～10℃的偏差；上述三種因素疊加，導(dǎo)致載板精準(zhǔn)控溫很難實(shí)現(xiàn)，工藝重復(fù)性比較差。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備用的控溫裝置和控溫方法及使用其的熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備，能夠達(dá)到實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)溫度的能力，且保證控溫的精準(zhǔn)性，通過實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)控溫來保證晶硅異質(zhì)結(jié)工藝過程中不會(huì)出現(xiàn)超溫等。
2、第一方面，本申請(qǐng)的一些實(shí)施例提供一種熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備用的控溫裝置，包括：主體部，其至少一部分位于所述熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備的加熱腔內(nèi)且通過連接件固定安裝于所述加熱腔的頂壁；至少一個(gè)檢測(cè)部，其設(shè)置于所述主體部且位于所述加熱腔內(nèi)，并且能夠檢測(cè)待控溫物體的溫度以發(fā)送檢測(cè)信號(hào)；至少一個(gè)監(jiān)視部，其設(shè)置于所述主體部并監(jiān)視所述待控溫物體的移動(dòng)，且能夠在預(yù)定時(shí)機(jī)向所述檢測(cè)部發(fā)送監(jiān)視信號(hào)以使所述檢測(cè)部工作；至少一個(gè)加熱部，其設(shè)置于所述加熱腔內(nèi)，且在接收到加熱信號(hào)后對(duì)所述待控溫物體進(jìn)行加熱；控溫部，其設(shè)置于所述加熱腔外且根據(jù)來自所述檢測(cè)部的所述檢測(cè)信號(hào)而向所述加熱部發(fā)送所述加熱信號(hào)以使所述加熱部進(jìn)行加熱；以及信號(hào)傳輸部，其設(shè)置于所述主體部且能夠在各部分之間傳輸信號(hào)。
3、本申請(qǐng)的實(shí)施例能夠達(dá)到實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)溫度的能力，且保證控溫的精準(zhǔn)性。
4、在一些實(shí)施例中，所述信號(hào)傳輸部包括至少一個(gè)數(shù)據(jù)線；所述待控溫物體包括至少一個(gè)載板，所述載板包括放置工件的正面和與所述正面相反側(cè)的背面。
5、在一些實(shí)施例中，每個(gè)所述檢測(cè)部包括至少一個(gè)磁力單元和至少一個(gè)熱電偶單元，在所述檢測(cè)部未進(jìn)行工作的常態(tài)下所述熱電偶單元吸附保持于所述磁力單元；所述磁力單元在接收到所述監(jiān)視部的所述監(jiān)視信號(hào)后增加斥力以將所述熱電偶單元的一部分彈出從而使所述熱電偶單元接觸所述待控溫物體的正面的預(yù)定區(qū)域；所述熱電偶單元將由所述檢測(cè)部實(shí)時(shí)檢測(cè)到的待控溫物體的溫度反饋給所述控溫部。
6、在一些實(shí)施例中，所述加熱部包括至少一個(gè)熱絲，所述熱絲設(shè)置于靠近所述載板的背面的位置處。
7、在一些實(shí)施例中，所述檢測(cè)部為多個(gè)，所述檢測(cè)部對(duì)所述待控溫物體的多個(gè)部位的溫度進(jìn)行測(cè)量并將獲得的所述多個(gè)部位的溫度取平均值來作為所述待控溫物體的溫度。
8、在一些實(shí)施例中，所述監(jiān)視部為多個(gè)，所述監(jiān)視部對(duì)所述待控溫物體的運(yùn)動(dòng)軌跡進(jìn)行預(yù)測(cè)并在所述待控溫物體到達(dá)預(yù)定位置之前提前啟動(dòng)所述加熱部。
9、在一些實(shí)施例中，所述加熱部為多個(gè)，所述加熱部對(duì)所述待控溫物體的多個(gè)部位進(jìn)行加熱。
10、第二方面，本申請(qǐng)的一些實(shí)施例提供一種熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備用的控溫方法，使用上述的控溫裝置；所述控溫方法包括以下步驟：監(jiān)視部監(jiān)視待控溫物體的運(yùn)動(dòng)并在預(yù)定時(shí)機(jī)向檢測(cè)部發(fā)送監(jiān)視信號(hào)，所述檢測(cè)部在接收到所述監(jiān)視信號(hào)后進(jìn)行工作并與所述待控溫物體的正面的預(yù)定區(qū)域接觸以檢測(cè)溫度；開啟加熱部進(jìn)行加熱，并通過所述檢測(cè)部實(shí)時(shí)將檢測(cè)到的所述待控溫物體的溫度反饋給控溫部；在所述待控溫物體加熱到目標(biāo)溫度的狀態(tài)下，所述加熱部關(guān)閉并將所述加熱部的信號(hào)反饋給所述檢測(cè)部以使所述檢測(cè)部進(jìn)行工作而解除與所述待控溫物體的接觸。
11、本申請(qǐng)的實(shí)施例能夠達(dá)到實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)溫度的能力，且保證控溫的精準(zhǔn)性。
12、在一些實(shí)施例中，還包括以下步驟：在所述檢測(cè)部解除與所述待控溫物體的接觸后，將所述檢測(cè)部的信號(hào)反饋給信號(hào)控制端，所述待控溫物體離開熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備的加熱腔，完成加熱。
13、第三方面，本申請(qǐng)的一些實(shí)施例提供一種熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備，包括上述的控溫裝置。
14、本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備用的控溫裝置和控溫方法及使用其的熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備。主要具有以下優(yōu)點(diǎn)：使用接觸式熱電偶實(shí)時(shí)監(jiān)控載板溫度，并反饋給pid控溫模組，達(dá)到實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)溫度的能力，保證控溫的精準(zhǔn)性，可在30℃～200℃溫度區(qū)間內(nèi)，實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)控溫，保證晶硅異質(zhì)結(jié)工藝過程中不會(huì)出現(xiàn)超溫等。
1.一種熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備用的控溫裝置，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備用的控溫裝置，其特征在于：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備用的控溫裝置，其特征在于：
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備用的控溫裝置，其特征在于：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備用的控溫裝置，其特征在于：
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備用的控溫裝置，其特征在于：
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備用的控溫裝置，其特征在于：
8.一種熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備用的控溫方法，其特征在于，使用權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的控溫裝置；
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備用的控溫方法，其特征在于，還包括以下步驟：
10.一種熱絲化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，