本文描述的實施例總體涉及半導(dǎo)體處理腔室。更具體地，本公開內(nèi)容的實施例涉及具有一個或多個反射器的半導(dǎo)體處理腔室。
背景技術(shù)：
1、在集成電路的制造中，沉積處理用以在半導(dǎo)體基板上沉積各種材料的膜。這些沉積處理可在封閉的處理腔室中進行。外延是一種沉積處理，其可在基板的表面上生長超純薄層，通常是硅或鍺。在基板上形成跨基板的表面具有均勻厚度的外延層需要精確的溫度控制。處理溫度通過使用輻射加熱燈來控制。每個燈通常與一個或多個反射器相關(guān)聯(lián)，反射器增加光能并將其引導(dǎo)至基板。燈和反射鏡經(jīng)常更換，并且因此它們是處理腔室的運行成本的重要組成部分。反射器也難以制造。
2、因此，存在有用于利用燈加熱的處理腔室的改進的反射器的需求。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本文描述了一種反射器和一種具有反射器的處理腔室。在一個示例中，提供了一種反射器，其包括圓柱形主體、冷卻通道和反射涂層。圓柱形主體具有上表面和下表面。下表面具有多個凹面反射器結(jié)構(gòu)，所述多個凹面反射器結(jié)構(gòu)圍繞圓柱形主體的中心線設(shè)置。冷卻通道設(shè)置在圓柱形主體中或圓柱形主體上。反射涂層設(shè)置在多個凹面反射器結(jié)構(gòu)上。
2、在另一個示例中，一種適于在半導(dǎo)體制造中使用的處理腔室包括腔室主體、多個燈、基板支撐件、支撐表面、窗、包括圓柱形主體的反射器、多個凹面反射器結(jié)構(gòu)、冷卻通道和反射涂層。腔室主體具有內(nèi)部空間。基板支撐件設(shè)置在內(nèi)部空間中。窗設(shè)置在基板支撐件上方并且至少部分地限定內(nèi)部空間。反射器定位成將從燈發(fā)出的光反射通過窗并進入內(nèi)部空間中。圓柱形主體具有上表面和下表面。下表面具有多個凹面反射器結(jié)構(gòu)，所述多個凹面反射器結(jié)構(gòu)圍繞圓柱形主體的中心線設(shè)置。冷卻通道設(shè)置在圓柱形主體中或圓柱形主體上。反射涂層設(shè)置在多個凹面反射器結(jié)構(gòu)上。
3、在另一個示例中，一種適于在半導(dǎo)體制造中使用的處理腔室包括腔室主體、多個燈、基板支撐件、窗、包括圓柱形主體、上表面和下表面的反射器、多個凹面反射器結(jié)構(gòu)、外殼、擋板、冷卻通道、第二冷卻通道、側(cè)表面、反射涂層。腔室主體具有內(nèi)部空間?；逯渭O(shè)置在內(nèi)部空間中?；逯渭ㄖ伪砻妗４霸O(shè)置在基板支撐件上方并且至少部分地限定內(nèi)部空間。反射器定位成反射從燈發(fā)出的光通過窗并進入內(nèi)部空間中。圓柱形主體具有上表面和下表面。下表面具有多個凹面反射器結(jié)構(gòu)，所述多個凹面反射器結(jié)構(gòu)圍繞圓柱形主體的中心線設(shè)置。圓柱形主體由聚合物制成。外殼延伸穿過圓柱形主體并在下表面下方突出到遠端。外殼由第二聚合物制成，其中第一和第二聚合物與提高聚合物的熱導(dǎo)率的填料結(jié)合。填料包括氮化硼、氮化鋁、碳化硅、碳基結(jié)構(gòu)、金剛石或金屬粉末的一種或多種。擋板耦接到外殼的遠端。冷卻通道設(shè)置在圓柱形主體中或圓柱形主體上，具有穿過圓柱形主體和外殼的上表面或側(cè)表面設(shè)置的入口端口和出口端口。第二冷卻通道設(shè)置在外殼中或外殼上，具有穿過圓柱形主體和外殼的上表面或側(cè)表面設(shè)置的入口端口和出口端口。反射涂層設(shè)置在多個凹面反射器結(jié)構(gòu)上。反射涂層是金或鋁。
1.一種用于在半導(dǎo)體處理腔室中使用的光反射器，所述反射器包括：
2.如權(quán)利要求1所述的反射器，其中所述圓柱形主體由聚合物制成。
3.如權(quán)利要求1所述的反射器，其中所述多個凹面結(jié)構(gòu)在所述圓柱形主體的中心線外側(cè)徑向?qū)R。
4.如權(quán)利要求1所述的反射器，其中所述多個凹面結(jié)構(gòu)以共同直徑按極性陣列布置。
5.如權(quán)利要求1所述的反射器，其中所述冷卻通道嵌入所述主體中，所述主體具有穿過所述圓柱形主體的所述上表面或側(cè)表面設(shè)置的入口端口和出口端口。
6.如權(quán)利要求1所述的反射器，所述反射器進一步包括：
7.如權(quán)利要求6所述的反射器，其中所述外殼和所述圓柱形主體由單塊材料形成。
8.如權(quán)利要求6所述的反射器，其中所述外殼進一步包括冷卻通道。
9.如權(quán)利要求1所述的反射器，所述反射器進一步包括：
10.如權(quán)利要求9所述的反射器，其中所述外殼和所述擋板由單塊材料形成。
11.如權(quán)利要求9所述的反射器，其中間隙被限定在所述外殼的所述遠端與所述擋板之間。
12.如權(quán)利要求1所述的反射器，其中所述反射涂層包括經(jīng)選擇以提供90％或更高的反射率的涂層厚度。
13.如權(quán)利要求1所述的反射器，其中所述反射涂層是金或鋁。
14.如權(quán)利要求13所述的反射器，所述反射器進一步包括保護性氟化鎂層，所述保護性氟化鎂層設(shè)置在所述鋁反射涂層頂上。
15.如權(quán)利要求2所述的反射器，其中所選擇的所述聚合物是peek或聚酰亞胺。
16.如權(quán)利要求1所述的反射器，其中所述聚合物與提高所述聚合物的熱導(dǎo)率的填料結(jié)合，其中所述填料包括氮化硼、氮化鋁、碳化硅、碳基結(jié)構(gòu)、金剛石或金屬粉末的一種或多種。
17.一種適于在半導(dǎo)體制造中使用的處理腔室，所述處理腔室包括：
18.如權(quán)利要求17所述的處理腔室，其中所述反射器由聚合物構(gòu)成。
19.如權(quán)利要求17所述的處理腔室，其中所述反射涂層是涂布有金或氟化鎂的鋁。
20.如權(quán)利要求17所述的處理腔室，所述處理腔室進一步包括冷卻通道，所述冷卻通道設(shè)置在所述圓柱形主體內(nèi)。
21.一種適于在半導(dǎo)體制造中使用的處理腔室，所述處理腔室包括：