本發(fā)明屬于化工產(chǎn)品制備，尤其涉及一種極低密度聚乙烯及其制備方法。
背景技術(shù)：
1、聚乙烯流延膜廣泛應(yīng)用于拉伸纏繞膜、保鮮膜、食品包裝膜等領(lǐng)域。國(guó)外各大公司相繼開(kāi)發(fā)出了氣相法、溶液法、高壓管式法等生產(chǎn)工藝制備聚乙烯，以氣相法工藝生產(chǎn)居多。
2、cn112356543a公開(kāi)了一種高光澤高透明聚乙烯流延膜及其制備方法，聚乙烯流延膜包括電暈層25-30％、中間層40-50％和熱封層20-30％；電暈層的制備原料和所述中間層的制備原料均為線性低密度聚乙烯樹(shù)脂a，熱封層的制備原料使具有爽滑劑和開(kāi)口性的線性低密度聚乙烯樹(shù)脂b。該發(fā)明的線性低密度聚乙烯樹(shù)脂是z-n催化劑催化得到的產(chǎn)物，其顆粒形態(tài)不均勻。
3、本領(lǐng)域尚需對(duì)可用于流延膜的低密度聚乙烯進(jìn)一步進(jìn)行研究。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明的主要目的在于提供一種極低密度聚乙烯及其制備方法，以克服現(xiàn)有技術(shù)中聚乙烯顆粒形態(tài)不均勻，制備的流延膜韌性、熱封性及抗穿刺性能差等缺陷。
2、為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種極低密度聚乙烯的制備方法，包括如下步驟：
3、使乙烯與α-烯烴在復(fù)合催化劑作用下進(jìn)行氣相聚合反應(yīng)，得到極低密度聚乙烯；
4、其中，所述復(fù)合催化劑的制備方法包括如下步驟：
5、步驟1，活化硅膠；
6、步驟2，將活化后硅膠與氨基硅烷進(jìn)行反應(yīng)，然后與酰鹵化合物混合反應(yīng)，得到修飾后的硅膠；
7、步驟3，將所述修飾后的硅膠與金屬化合物混合反應(yīng)，然后與環(huán)戊二烯基金屬混合反應(yīng)，得到復(fù)合催化劑。
8、本發(fā)明所述的極低密度聚乙烯的制備方法，其中，活化硅膠的步驟為：將硅膠在20～200℃下進(jìn)行處理。
9、本發(fā)明所述的極低密度聚乙烯的制備方法，其中，所述氨基硅烷的結(jié)構(gòu)為：si(or1)3r2nh2，其中，r1為甲基、乙基、丙基、丁基，r2為甲基、乙基、丙基、丁基、戊基；活化后硅膠與氨基硅烷的反應(yīng)溫度為60～150℃。
10、本發(fā)明所述的極低密度聚乙烯的制備方法，其中，所述氨基硅烷氨丙基三乙氧基硅烷、氨丙基三甲氧基硅烷。
11、本發(fā)明所述的極低密度聚乙烯的制備方法，其中，所述酰鹵化合物為乙酰氯、甲酰氯、丙酰氯中的至少一種；步驟2活化后硅膠與氨基硅烷反應(yīng)后，與酰鹵化合物混合過(guò)程中還加入了堿性化合物；及/或，所述堿性化合物為有機(jī)胺。
12、本發(fā)明所述的極低密度聚乙烯的制備方法，其中，所述金屬化合物為鋯化合物、鈦化合物或鉿化合物；及/或，所述鋯化合物為四氯化鋯，所述鈦化合物為四氯化鈦，所述鉿化合物為四氯化鉿；所述環(huán)戊二烯基金屬為環(huán)戊二烯基鈉、環(huán)戊二烯基鉀中的至少一種。
13、本發(fā)明所述的極低密度聚乙烯的制備方法，其中，所述修飾后的硅膠與金屬化合物的反應(yīng)溫度為30～80℃。
14、本發(fā)明所述的極低密度聚乙烯的制備方法，其中，所述復(fù)合催化劑的制備在惰性氣體氛圍下、有機(jī)溶劑中進(jìn)行。
15、本發(fā)明所述的極低密度聚乙烯的制備方法，其中，所述氣相聚合反應(yīng)中，h2作為分子量調(diào)節(jié)劑，α-烯烴與乙烯的摩爾比為0.01～0.1，h2與乙烯摩爾比為0.1～0.5，反應(yīng)溫度75～95℃，反應(yīng)壓力為1.0～5.0mpa。
16、為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明還提供了上述的制備方法得到的極低密度聚乙烯。
17、本發(fā)明的有益效果：
18、本發(fā)明用于制備聚乙烯的催化劑中，酰胺基團(tuán)接枝于硅膠表面，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了茂結(jié)構(gòu)在硅膠表面上的原位合成。酰胺基團(tuán)修飾的載體負(fù)載如zrcp2cl2等形成的復(fù)合催化劑聚合活性高。另外，酰胺基團(tuán)的接入使茂金屬催化劑的活性中心遠(yuǎn)離硅膠表面，避免了活性中心受到表面硅羥基的毒害作用。再者，以原位化學(xué)鍵合的方式將茂結(jié)構(gòu)接枝于修飾后的硅膠表面上，可以有效地避免催化活性中心在烯烴聚合反應(yīng)過(guò)程中從載體表面上的脫落，不僅提高了催化劑的穩(wěn)定性，利于催化活性中心的充分暴露，而且有效地避免了聚合產(chǎn)物的粘釜現(xiàn)象發(fā)生。
19、本發(fā)明極低密度聚乙烯粉料具有良好的顆粒形態(tài)，堆積密度高，可以適用于淤漿法和氣相法聚合工藝。本發(fā)明極低密度聚乙烯制備的流延膜產(chǎn)品的韌性、熱封性及抗穿刺性能較好。
1.一種極低密度聚乙烯的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極低密度聚乙烯的制備方法，其特征在于，活化硅膠的步驟為：將硅膠在20～200℃下進(jìn)行處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極低密度聚乙烯的制備方法，其特征在于，所述氨基硅烷的結(jié)構(gòu)為：si(or1)3r2nh2，其中，r1為甲基、乙基、丙基、丁基，r2為甲基、乙基、丙基、丁基、戊基；活化后硅膠與氨基硅烷的反應(yīng)溫度為60～150℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極低密度聚乙烯的制備方法，其特征在于，所述氨基硅烷為氨丙基三乙氧基硅烷、氨丙基三甲氧基硅烷。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極低密度聚乙烯的制備方法，其特征在于，所述酰鹵化合物為乙酰氯、甲酰氯、丙酰氯中的至少一種；步驟2活化后硅膠與氨基硅烷反應(yīng)后，與酰鹵化合物混合過(guò)程中還加入了堿性化合物；及/或，所述堿性化合物為有機(jī)胺。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極低密度聚乙烯的制備方法，其特征在于，所述金屬化合物為鋯化合物、鈦化合物或鉿化合物；及/或，所述鋯化合物為四氯化鋯，所述鈦化合物為四氯化鈦，所述鉿化合物為四氯化鉿；所述環(huán)戊二烯基金屬為環(huán)戊二烯基鈉、環(huán)戊二烯基鉀中的至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極低密度聚乙烯的制備方法，其特征在于，所述修飾后的硅膠與金屬化合物的反應(yīng)溫度為30～80℃。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極低密度聚乙烯的制備方法，其特征在于，所述復(fù)合催化劑的制備在惰性氣體氛圍下、有機(jī)溶劑中進(jìn)行。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極低密度聚乙烯的制備方法，其特征在于，所述氣相聚合反應(yīng)中，h2作為分子量調(diào)節(jié)劑，α-烯烴與乙烯的摩爾比為0.01～0.1，h2與乙烯摩爾比為0.1～0.5，反應(yīng)溫度75～95℃，反應(yīng)壓力為1.0～5.0mpa。
10.權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的制備方法得到的極低密度聚乙烯。