背景技術(shù)：
1、成像系統(tǒng)可包括電子源、靶層及x射線檢測(cè)器。待成像的對(duì)象可被定位于靶層與x射線檢測(cè)器之間。電子源可朝向靶層的目標(biāo)區(qū)發(fā)射電子束，以使目標(biāo)區(qū)產(chǎn)生x射線。x射線檢測(cè)器可基于x射線與對(duì)象之間的相互作用來(lái)拍攝對(duì)象的圖像。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請(qǐng)中公開了一種系統(tǒng)，包括：電子源，被配置成產(chǎn)生電子束；支撐層，包括m個(gè)孔(孔(i)，i＝1、……、m)，其中，m是正整數(shù)；以及靶層，(a)位于所述支撐層上且(b)包括m個(gè)目標(biāo)區(qū)(目標(biāo)區(qū)(i)，i＝1、……、m)。對(duì)于i的每個(gè)值，在每次僅使用i的一個(gè)值時(shí)，所述電子源被配置成將所述電子束引導(dǎo)至所述目標(biāo)區(qū)(i)，從而使所述目標(biāo)區(qū)(i)產(chǎn)生來(lái)自所述目標(biāo)區(qū)(i)的x射線(i)，同時(shí)所述電子束經(jīng)由所述孔(i)穿過(guò)所述支撐層而不撞擊所述支撐層的任何部分。
2、在一個(gè)方面中，所述系統(tǒng)還包括x射線檢測(cè)器。對(duì)于i的每個(gè)值，所述x射線檢測(cè)器被配置成基于所述x射線(i)與同一對(duì)象之間的相互作用來(lái)拍攝所述對(duì)象的圖像(i)。
3、在一個(gè)方面中，m＞1。
4、在一個(gè)方面中，所述靶層包含鉑、鎢、銅或其組合。
5、在一個(gè)方面中，所述靶層包含碳、鈹或其組合。
6、在一個(gè)方面中，在垂直于所述靶層的方向上測(cè)量的所述靶層的厚度小于所述電子束在所述靶層中的電子平均自由程。
7、在一個(gè)方面中，所述支撐層包含硅。
8、在一個(gè)方面中，所述靶層與所述支撐層直接物理接觸。
9、本申請(qǐng)中公開了一種使用上述系統(tǒng)的方法。對(duì)于i的每個(gè)值，在每次僅使用i的一個(gè)值時(shí)，所述方法包括：將所述電子束引導(dǎo)到所述目標(biāo)區(qū)(i)，從而使所述目標(biāo)區(qū)(i)產(chǎn)生來(lái)自所述目標(biāo)區(qū)(i)的所述x射線(i)；以及使用同一x射線檢測(cè)器基于所述x射線(i)與同一對(duì)象之間的相互作用來(lái)拍攝所述對(duì)象的圖像(i)，同時(shí)所述電子束經(jīng)由所述孔(i)穿過(guò)所述支撐層而不撞擊所述支撐層的任何部分。
10、本申請(qǐng)中公開一種系統(tǒng)，包括：電子源，被配置成產(chǎn)生電子束；支撐層，包括m個(gè)支撐區(qū)(支撐區(qū)(i)，i＝1、……、m)，其中，m是正整數(shù)；靶層，(a)位于所述支撐層上且(b)包括m個(gè)目標(biāo)區(qū)(目標(biāo)區(qū)(i)，i＝1、……、m)；以及x射線檢測(cè)器。對(duì)于i的每個(gè)值，在每次僅使用i的一個(gè)值時(shí)，所述電子源被配置成將所述電子束同時(shí)引導(dǎo)到(a)所述目標(biāo)區(qū)(i)與(b)所述支撐區(qū)(i)，從而使所述目標(biāo)區(qū)(i)產(chǎn)生來(lái)自所述目標(biāo)區(qū)(i)的目標(biāo)x射線(i)，并從而使所述支撐區(qū)(i)產(chǎn)生來(lái)自所述支撐區(qū)(i)的支撐x射線(i)，并且，所述x射線檢測(cè)器被配置成(a)基于所述目標(biāo)x射線(i)與同一對(duì)象之間的相互作用且(b)不基于所述支撐x射線(i)與所述對(duì)象之間的任何相互作用來(lái)拍攝所述對(duì)象的圖像(i)。
11、在一個(gè)方面中，所述x射線檢測(cè)器被配置成不檢測(cè)所述支撐x射線(i)，i＝1、……、m。
12、在一個(gè)方面中，所述系統(tǒng)還包括過(guò)濾層，所述過(guò)濾層(a)定位在所述支撐層與所述x射線檢測(cè)器之間且(b)被配置成阻擋所述支撐x射線(i)，i＝1、……、m。
13、在一個(gè)方面中，所述系統(tǒng)還包括過(guò)濾層，所述過(guò)濾層(a)定位在(i)所述靶層和所述支撐層的組合與(ii)所述x射線檢測(cè)器之間，且(b)被配置成使所述目標(biāo)x射線(i)，i＝1、……、m及所述支撐x射線(i)，i＝1、……、m衰減不同程度。
14、在一個(gè)方面中，所述系統(tǒng)還包括光柵，所述光柵(a)定位在(i)所述靶層和所述支撐層的組合與(ii)所述x射線檢測(cè)器之間，(b)被配置成在所述x射線檢測(cè)器處對(duì)準(zhǔn)所述目標(biāo)x射線(i)，i＝1、……、m，且(c)被配置成在所述x射線檢測(cè)器處不對(duì)準(zhǔn)所述支撐x射線(i)，i＝1、……、m。
15、在一個(gè)方面中，所述支撐層被配置成阻擋所述目標(biāo)x射線(i)的一個(gè)波長(zhǎng)范圍，其中i＝1、……、m。
16、在一個(gè)方面中，(a)所述靶層包含鉑，且所述支撐層包含鋁，或者(b)所述靶層包含銅，且所述支撐層包含鎳。
17、在一個(gè)方面中，所述靶層包含聚合物。
18、在一個(gè)方面中，在垂直于所述靶層的方向上測(cè)量的所述靶層的厚度小于所述電子束在所述靶層中的電子平均自由程。
19、在一個(gè)方面中，所述靶層與所述支撐層直接物理接觸。
20、本申請(qǐng)中公開一種使用上述系統(tǒng)的方法。所述方法包括：對(duì)于i的每個(gè)值，在每次僅使用i的一個(gè)值時(shí)，將所述電子束引導(dǎo)到所述目標(biāo)區(qū)(i)，從而使所述目標(biāo)區(qū)(i)產(chǎn)生來(lái)自所述目標(biāo)區(qū)(i)的所述目標(biāo)x射線(i)；以及使用所述x射線檢測(cè)器基于所述目標(biāo)x射線(i)與所述對(duì)象之間的相互作用來(lái)拍攝所述對(duì)象的所述圖像(i)。
1.一種系統(tǒng)，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，還包括x射線檢測(cè)器，其中，對(duì)于i的每個(gè)值，所述x射線檢測(cè)器被配置成基于所述x射線(i)與同一對(duì)象之間的相互作用來(lái)拍攝所述對(duì)象的圖像(i)。
3.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，m＞1。
4.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述靶層包含鉑、鎢、銅或其組合。
5.如權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其中，所述靶層包含碳、鈹或其組合。
6.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，在垂直于所述靶層的方向上測(cè)量的所述靶層的厚度小于所述電子束在所述靶層中的電子平均自由程。
7.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述支撐層包含硅。
8.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述靶層與所述支撐層直接物理接觸。
9.一種使用如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)的方法，對(duì)于i的每個(gè)值，在每次僅使用i的一個(gè)值時(shí)，所述方法包括：
10.一種系統(tǒng)，包括：
11.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其中，所述x射線檢測(cè)器被配置成不檢測(cè)所述支撐x射線(i)，i＝1、……、m。
12.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，還包括過(guò)濾層，所述過(guò)濾層(a)定位在所述支撐層與所述x射線檢測(cè)器之間且(b)被配置成阻擋所述支撐x射線(i)，i＝1、……、m。
13.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，還包括過(guò)濾層，所述過(guò)濾層(a)定位在(i)所述靶層和所述支撐層的組合與(ii)所述x射線檢測(cè)器之間，且(b)被配置成使所述目標(biāo)x射線(i)，i＝1、……、m及所述支撐x射線(i)，i＝1、……、m衰減不同程度。
14.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，還包括光柵，所述光柵(a)定位在(i)所述靶層和所述支撐層的組合與(ii)所述x射線檢測(cè)器之間，(b)被配置成在所述x射線檢測(cè)器處對(duì)準(zhǔn)所述目標(biāo)x射線(i)，i＝1、……、m，且(c)被配置成在所述x射線檢測(cè)器處不對(duì)準(zhǔn)所述支撐x射線(i)，i＝1、……、m。
15.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其中，所述支撐層被配置成阻擋所述目標(biāo)x射線(i)的一個(gè)波長(zhǎng)范圍，i＝1、……、m。
16.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其中，
17.如權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其中，所述靶層包含聚合物。
18.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其中，在垂直于所述靶層的方向上測(cè)量的所述靶層的厚度小于所述電子束在所述靶層中的電子平均自由程。
19.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其中，所述靶層與所述支撐層直接物理接觸。
20.一種使用如權(quán)利要求10至19中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)的方法，對(duì)于i的每個(gè)值，在每次僅使用i的一個(gè)值時(shí)，所述方法包括：