本發(fā)明涉及一種配置于芯片上的凸塊結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
1、在不同領(lǐng)域的應(yīng)用上常會(huì)對(duì)芯片上的凸塊結(jié)構(gòu)有不同的硬度需求，現(xiàn)行為了符合各種不同凸塊硬度的需求，不同硬度值的凸塊適用于不同運(yùn)用場(chǎng)合，一般大多是通過(guò)不斷的調(diào)整電鍍液成份及工藝上的參數(shù)來(lái)實(shí)驗(yàn)，以符合凸塊硬度的需求，然而，現(xiàn)行調(diào)整凸塊硬度的方式較難精準(zhǔn)地達(dá)到前述各種需求，造成工藝時(shí)間及成本大幅提升。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明提供一種凸塊結(jié)構(gòu)，其在較精準(zhǔn)地達(dá)到硬度需求的同時(shí)也可以大幅縮短研發(fā)工藝時(shí)間。
2、本發(fā)明的一種凸塊結(jié)構(gòu)配置于芯片上，其包括第一金屬層、第二金屬層以及支撐層。第一金屬層及第二金屬層均是由金所組成。支撐層設(shè)置于第一金屬層與第二金屬層之間，且通過(guò)第一金屬層設(shè)置于芯片上并進(jìn)行電性連接。支撐層為硬度高于第一金屬層與第二金屬層的層狀結(jié)構(gòu)且由鎳、鈷、鐵中任一者或其組合者所組成。
3、在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的凸塊結(jié)構(gòu)的總厚度介于9微米至17微米之間。
4、在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的凸塊結(jié)構(gòu)的維式硬度大于等于110。
5、在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的支撐層的厚度介于1微米至3微米之間。
6、在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第二金屬層的厚度介于1.5微米至3微米之間。
7、在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第一金屬層的厚度為凸塊結(jié)構(gòu)的總厚度減去支撐層的厚度與第二金屬層的厚度的總和。
8、在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的凸塊結(jié)構(gòu)的維式硬度介于50至74之間。
9、在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的支撐層的厚度介于1微米至2微米之間。
10、在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第二金屬層的厚度介于3.5微米至5微米之間。
11、在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第一金屬層的厚度為凸塊結(jié)構(gòu)的總厚度減去支撐層的厚度與第二金屬層的厚度的總和。
12、基于上述，本發(fā)明的凸塊結(jié)構(gòu)通過(guò)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，于二層金屬層之間導(dǎo)入了硬度較高的支撐層，可以簡(jiǎn)易彈性地調(diào)整，以因應(yīng)不同應(yīng)用場(chǎng)域，較精準(zhǔn)地達(dá)到硬度需求。
13、為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。
1.一種凸塊結(jié)構(gòu)，配置于芯片上，其特征在于，所述凸塊結(jié)構(gòu)包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸塊結(jié)構(gòu)的總厚度介于9微米至17微米之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸塊結(jié)構(gòu)的維式硬度大于等于110。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述支撐層的厚度介于1微米至3微米之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二金屬層的厚度介于1.5微米至3微米之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一金屬層的厚度為所述凸塊結(jié)構(gòu)的所述總厚度減去所述支撐層的厚度與所述第二金屬層的厚度的總和。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸塊結(jié)構(gòu)的維式硬度介于50至74之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述支撐層的厚度介于1微米至2微米之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二金屬層的厚度介于3.5微米至5微米之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一金屬層的厚度為所述凸塊結(jié)構(gòu)的所述總厚度減去所述支撐層的厚度與所述第二金屬層的厚度的總和。