本發(fā)明屬于微波混合集成電路制造領(lǐng)域，具體涉及一種微波混合集成電路芯片自對(duì)準(zhǔn)裝配方法。
背景技術(shù)：
1、隨著微波混合集成電路功能和集成度不斷提高，電路裸芯片對(duì)位精度要求越來越高，一般要求在幾微米到十幾微米對(duì)位精度，低精度貼片機(jī)無法實(shí)現(xiàn)此精度的貼片，而采用精密貼片設(shè)備進(jìn)行多芯片粘貼時(shí)，一般每臺(tái)設(shè)備每小時(shí)僅貼片1000個(gè)左右，相比一般精度貼片機(jī)效率下降了3-5倍?？梢姡捎镁苜N片設(shè)備工作效率低，且設(shè)備采購成本較一般精度貼片機(jī)高。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明的目的是提供一種微波混合集成電路芯片自對(duì)準(zhǔn)裝配方法，可采用一般精度貼片機(jī)來高效率、高精度地完成芯片裝配工作。
2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的一個(gè)方面提供一種微波混合集成電路芯片自對(duì)準(zhǔn)裝配方法，包括：
3、步驟s1：在電路基板的芯片裝配位置設(shè)置焊盤，在焊盤上預(yù)置焊料，使用覆膜對(duì)焊盤進(jìn)行遮蔽保護(hù)，對(duì)焊盤周圍進(jìn)行疏水處理，疏水處理后將焊盤覆膜去除，使用掩膜板遮擋疏水部位，利用等離子處理設(shè)備對(duì)焊盤進(jìn)行等離子處理，使焊盤具有親水特性；
4、步驟s2：去掉掩膜板，將基板放入貼片設(shè)備，利用點(diǎn)膠機(jī)對(duì)焊盤進(jìn)行液體點(diǎn)涂，由于焊盤的親水特性和焊盤周圍的疏水特性，形成限制于焊盤中的液滴；
5、步驟s3：將芯片拾取至焊盤上方，下放芯片使芯片接觸液滴，芯片在液滴表面張力的作用下與焊盤對(duì)準(zhǔn)，然后通過加熱使液滴蒸發(fā)；
6、步驟s4：對(duì)裝配好芯片的基板進(jìn)行回流焊接，焊接后進(jìn)行冷卻處理，得到芯片與焊盤對(duì)位精確的微波混合集成電路。
7、優(yōu)選地，在步驟s1中，使用覆膜對(duì)焊盤進(jìn)行遮蔽包括：將基板整體粘貼聚酰亞胺膠帶薄膜，使用紫外激光雕刻設(shè)備對(duì)焊盤邊緣進(jìn)行雕刻，確保聚酰亞胺膠帶薄膜雕刻透但不損傷基板，將焊盤周圍的聚酰亞胺膠帶薄膜去除，保留焊盤處的膠帶薄膜，完成對(duì)焊盤的覆膜遮蔽保護(hù)。
8、優(yōu)選地，在步驟s1中，對(duì)焊盤的周圍位置進(jìn)行疏水處理包括：使用疏水材料對(duì)焊盤的周圍位置進(jìn)行表面噴涂，噴涂后放入烘箱進(jìn)行烘干。
9、優(yōu)選地，在步驟s1中，利用等離子處理設(shè)備對(duì)焊盤進(jìn)行等離子處理包括：將使用掩膜板遮擋的基板放入等離子處理設(shè)備，將設(shè)備抽取真空，通入氬氣對(duì)焊盤進(jìn)行等離子處理，處理完成后通入氮?dú)馄普婵蘸笕〕龌濉?/p>
10、優(yōu)選地，在步驟s2中，利用點(diǎn)膠機(jī)對(duì)焊盤進(jìn)行液體點(diǎn)涂包括：在點(diǎn)膠機(jī)針管中放入液體，對(duì)針管設(shè)置負(fù)壓，保持液體不外溢，將點(diǎn)膠針頭移動(dòng)到焊盤上方，釋放負(fù)壓采用正壓對(duì)焊盤進(jìn)行液體點(diǎn)涂。
11、優(yōu)選地，焊盤的寬度在0.5mm-4mm之間，在步驟s2中，對(duì)于寬度在2mm以下的焊盤，采用直接上方點(diǎn)涂液滴方式，對(duì)于寬度大于2mm的焊盤，采用陣列線條點(diǎn)涂液滴方式。
12、優(yōu)選地，在步驟s3中，對(duì)需要裝配的芯片進(jìn)行圖像識(shí)別，確定芯片的位置和方向，使用真空吸頭對(duì)識(shí)別后的芯片進(jìn)行真空拾取，將芯片拾取至待裝配焊盤上方，緩慢下放，芯片接觸液滴后停止并釋放真空，對(duì)真空吸頭沖氮?dú)馐剐酒蛛x。
13、優(yōu)選地，液體中含有助焊劑，步驟s4還包括：將焊接后的基板利用氣相清洗劑進(jìn)行清洗。
14、優(yōu)選地，焊料為ausn20焊料或snag3cu0.5焊料，疏水材料為含氟硅烷或納米二氧化硅，液體為去離子水。
15、根據(jù)本發(fā)明上述方面的微波混合集成電路芯片自對(duì)準(zhǔn)裝配方法，通過基板表面處理、液滴自對(duì)準(zhǔn)，能夠采用一般精度貼片機(jī)完成混合電路芯片貼裝，降低了設(shè)備要求，提高了貼片效率。
1.一種微波混合集成電路芯片自對(duì)準(zhǔn)裝配方法，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟s1中，使用覆膜對(duì)焊盤進(jìn)行遮蔽包括：將基板整體粘貼聚酰亞胺膠帶薄膜，使用紫外激光雕刻設(shè)備對(duì)焊盤邊緣進(jìn)行雕刻，確保聚酰亞胺膠帶薄膜雕刻透但不損傷基板，將焊盤周圍的聚酰亞胺膠帶薄膜去除，保留焊盤處的膠帶薄膜，完成對(duì)焊盤的覆膜遮蔽保護(hù)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步驟s1中，對(duì)焊盤的周圍位置進(jìn)行疏水處理包括：使用疏水材料對(duì)焊盤的周圍位置進(jìn)行表面噴涂，噴涂后放入烘箱進(jìn)行烘干。
4.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步驟s1中，利用等離子處理設(shè)備對(duì)焊盤進(jìn)行等離子處理包括：將使用掩膜板遮擋的基板放入等離子處理設(shè)備，將設(shè)備抽取真空，通入氬氣對(duì)焊盤進(jìn)行等離子處理，處理完成后通入氮?dú)馄普婵蘸笕〕龌濉?/p>
5.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步驟s2中，利用點(diǎn)膠機(jī)對(duì)焊盤進(jìn)行液體點(diǎn)涂包括：在點(diǎn)膠機(jī)針管中放入液體，對(duì)針管設(shè)置負(fù)壓，保持液體不外溢，將點(diǎn)膠針頭移動(dòng)到焊盤上方，釋放負(fù)壓采用正壓對(duì)焊盤進(jìn)行液體點(diǎn)涂。
6.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，焊盤的寬度在0.5mm-4mm之間，在步驟s2中，對(duì)于寬度在2mm以下的焊盤，采用直接上方點(diǎn)涂液滴方式，對(duì)于寬度大于2mm的焊盤，采用陣列線條點(diǎn)涂液滴方式。
7.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步驟s3中，對(duì)需要裝配的芯片進(jìn)行圖像識(shí)別，確定芯片的位置和方向，使用真空吸頭對(duì)識(shí)別后的芯片進(jìn)行真空拾取，將芯片拾取至待裝配焊盤上方，緩慢下放，芯片接觸液滴后停止并釋放真空，對(duì)真空吸頭沖氮?dú)馐剐酒蛛x。
8.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，液體中含有助焊劑，步驟s4還包括：將焊接后的基板利用氣相清洗劑進(jìn)行清洗。
9.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，焊料為ausn20焊料或snag3cu0.5焊料，疏水材料為含氟硅烷或納米二氧化硅，液體為去離子水。