本發(fā)明屬于微波混合集成電路制造領(lǐng)域,具體涉及一種微波混合集成電路芯片自對(duì)準(zhǔn)裝配方法。
背景技術(shù):
1、隨著微波混合集成電路功能和集成度不斷提高,電路裸芯片對(duì)位精度要求越來越高,一般要求在幾微米到十幾微米對(duì)位精度,低精度貼片機(jī)無法實(shí)現(xiàn)此精度的貼片,而采用精密貼片設(shè)備進(jìn)行多芯片粘貼時(shí),一般每臺(tái)設(shè)備每小時(shí)僅貼片1000個(gè)左右,相比一般精度貼片機(jī)效率下降了3-5倍??梢姡捎镁苜N片設(shè)備工作效率低,且設(shè)備采購成本較一般精度貼片機(jī)高。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明的目的是提供一種微波混合集成電路芯片自對(duì)準(zhǔn)裝配方法,可采用一般精度貼片機(jī)來高效率、高精度地完成芯片裝配工作。
2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的一個(gè)方面提供一種微波混合集成電路芯片自對(duì)準(zhǔn)裝配方法,包括:
3、步驟s1:在電路基板的芯片裝配位置設(shè)置焊盤,在焊盤上預(yù)置焊料,使用覆膜對(duì)焊盤進(jìn)行遮蔽保護(hù),對(duì)焊盤周圍進(jìn)行疏水處理,疏水處理后將焊盤覆膜去除,使用掩膜板遮擋疏水部位,利用等離子處理設(shè)備對(duì)焊盤進(jìn)行等離子處理,使焊盤具有親水特性;
4、步驟s2:去掉掩膜板,將基板放入貼片設(shè)備,利用點(diǎn)膠機(jī)對(duì)焊盤進(jìn)行液體點(diǎn)涂,由于焊盤的親水特性和焊盤周圍的疏水特性,形成限制于焊盤中的液滴;
5、步驟s3:將芯片拾取至焊盤上方,下放芯片使芯片接觸液滴,芯片在液滴表面張力的作用下與焊盤對(duì)準(zhǔn),然后通過加熱使液滴蒸發(fā);
6、步驟s4:對(duì)裝配好芯片的基板進(jìn)行回流焊接,焊接后進(jìn)行冷卻處理,得到芯片與焊盤對(duì)位精確的微波混合集成電路。
7、優(yōu)選地,在步驟s1中,使用覆膜對(duì)焊盤進(jìn)行遮蔽包括:將基板整體粘貼聚酰亞胺膠帶薄膜,使用紫外激光雕刻設(shè)備對(duì)焊盤邊緣進(jìn)行雕刻,確保聚酰亞胺膠帶薄膜雕刻透但不損傷基板,將焊盤周圍的聚酰亞胺膠帶薄膜去除,保留焊盤處的膠帶薄膜,完成對(duì)焊盤的覆膜遮蔽保護(hù)。
8、優(yōu)選地,在步驟s1中,對(duì)焊盤的周圍位置進(jìn)行疏水處理包括:使用疏水材料對(duì)焊盤的周圍位置進(jìn)行表面噴涂,噴涂后放入烘箱進(jìn)行烘干。
9、優(yōu)選地,在步驟s1中,利用等離子處理設(shè)備對(duì)焊盤進(jìn)行等離子處理包括:將使用掩膜板遮擋的基板放入等離子處理設(shè)備,將設(shè)備抽取真空,通入氬氣對(duì)焊盤進(jìn)行等離子處理,處理完成后通入氮?dú)馄普婵蘸笕〕龌濉?/p>
10、優(yōu)選地,在步驟s2中,利用點(diǎn)膠機(jī)對(duì)焊盤進(jìn)行液體點(diǎn)涂包括:在點(diǎn)膠機(jī)針管中放入液體,對(duì)針管設(shè)置負(fù)壓,保持液體不外溢,將點(diǎn)膠針頭移動(dòng)到焊盤上方,釋放負(fù)壓采用正壓對(duì)焊盤進(jìn)行液體點(diǎn)涂。
11、優(yōu)選地,焊盤的寬度在0.5mm-4mm之間,在步驟s2中,對(duì)于寬度在2mm以下的焊盤,采用直接上方點(diǎn)涂液滴方式,對(duì)于寬度大于2mm的焊盤,采用陣列線條點(diǎn)涂液滴方式。
12、優(yōu)選地,在步驟s3中,對(duì)需要裝配的芯片進(jìn)行圖像識(shí)別,確定芯片的位置和方向,使用真空吸頭對(duì)識(shí)別后的芯片進(jìn)行真空拾取,將芯片拾取至待裝配焊盤上方,緩慢下放,芯片接觸液滴后停止并釋放真空,對(duì)真空吸頭沖氮?dú)馐剐酒蛛x。
13、優(yōu)選地,液體中含有助焊劑,步驟s4還包括:將焊接后的基板利用氣相清洗劑進(jìn)行清洗。
14、優(yōu)選地,焊料為ausn20焊料或snag3cu0.5焊料,疏水材料為含氟硅烷或納米二氧化硅,液體為去離子水。
15、根據(jù)本發(fā)明上述方面的微波混合集成電路芯片自對(duì)準(zhǔn)裝配方法,通過基板表面處理、液滴自對(duì)準(zhǔn),能夠采用一般精度貼片機(jī)完成混合電路芯片貼裝,降低了設(shè)備要求,提高了貼片效率。
1.一種微波混合集成電路芯片自對(duì)準(zhǔn)裝配方法,其特征在于,包括:
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在步驟s1中,使用覆膜對(duì)焊盤進(jìn)行遮蔽包括:將基板整體粘貼聚酰亞胺膠帶薄膜,使用紫外激光雕刻設(shè)備對(duì)焊盤邊緣進(jìn)行雕刻,確保聚酰亞胺膠帶薄膜雕刻透但不損傷基板,將焊盤周圍的聚酰亞胺膠帶薄膜去除,保留焊盤處的膠帶薄膜,完成對(duì)焊盤的覆膜遮蔽保護(hù)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法,其特征在于,在步驟s1中,對(duì)焊盤的周圍位置進(jìn)行疏水處理包括:使用疏水材料對(duì)焊盤的周圍位置進(jìn)行表面噴涂,噴涂后放入烘箱進(jìn)行烘干。
4.如權(quán)利要求1或2所述的方法,其特征在于,在步驟s1中,利用等離子處理設(shè)備對(duì)焊盤進(jìn)行等離子處理包括:將使用掩膜板遮擋的基板放入等離子處理設(shè)備,將設(shè)備抽取真空,通入氬氣對(duì)焊盤進(jìn)行等離子處理,處理完成后通入氮?dú)馄普婵蘸笕〕龌濉?/p>
5.如權(quán)利要求1或2所述的方法,其特征在于,在步驟s2中,利用點(diǎn)膠機(jī)對(duì)焊盤進(jìn)行液體點(diǎn)涂包括:在點(diǎn)膠機(jī)針管中放入液體,對(duì)針管設(shè)置負(fù)壓,保持液體不外溢,將點(diǎn)膠針頭移動(dòng)到焊盤上方,釋放負(fù)壓采用正壓對(duì)焊盤進(jìn)行液體點(diǎn)涂。
6.如權(quán)利要求1或2所述的方法,其特征在于,焊盤的寬度在0.5mm-4mm之間,在步驟s2中,對(duì)于寬度在2mm以下的焊盤,采用直接上方點(diǎn)涂液滴方式,對(duì)于寬度大于2mm的焊盤,采用陣列線條點(diǎn)涂液滴方式。
7.如權(quán)利要求1或2所述的方法,其特征在于,在步驟s3中,對(duì)需要裝配的芯片進(jìn)行圖像識(shí)別,確定芯片的位置和方向,使用真空吸頭對(duì)識(shí)別后的芯片進(jìn)行真空拾取,將芯片拾取至待裝配焊盤上方,緩慢下放,芯片接觸液滴后停止并釋放真空,對(duì)真空吸頭沖氮?dú)馐剐酒蛛x。
8.如權(quán)利要求1或2所述的方法,其特征在于,液體中含有助焊劑,步驟s4還包括:將焊接后的基板利用氣相清洗劑進(jìn)行清洗。
9.如權(quán)利要求1或2所述的方法,其特征在于,焊料為ausn20焊料或snag3cu0.5焊料,疏水材料為含氟硅烷或納米二氧化硅,液體為去離子水。