本發(fā)明涉及集成電路設(shè)計及制造，特別是涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法、存儲器。
背景技術(shù)：
1、在集成電路設(shè)計及制造技術(shù)領(lǐng)域，隨著工藝的尺寸微縮，存儲器中的電容器的深寬比隨之呈倍數(shù)增加，導(dǎo)致存儲器的工藝微縮愈發(fā)困難。研究人員通過構(gòu)建三維結(jié)構(gòu)以有效應(yīng)對工藝微縮帶來的挑戰(zhàn)，能夠?qū)崿F(xiàn)在單位晶圓面積上產(chǎn)出更多的芯片，獲得具有更高的集成密度以及更大的存儲容量的存儲器，從而達(dá)到降低成本的目的。因此，具有三維結(jié)構(gòu)的存儲器已逐漸成為目前存儲器的重要研究方向之一。
2、然而，目前用于制造三維存儲器的傳統(tǒng)制造工藝，刻蝕難度較大，工藝流程復(fù)雜，且容易產(chǎn)生寄生溝道，影響了三維存儲器結(jié)構(gòu)及性能的進(jìn)一步提升。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、基于此，本公開提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法、存儲器，至少能夠降低刻蝕難度，簡化工藝流程，消除寄生溝道的影響。
2、為了解決上述技術(shù)問題及其他問題，根據(jù)一些實施例，本公開的一方面提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，在一些實施例中，包括：
3、提供襯底，于襯底上形成疊層結(jié)構(gòu)；疊層結(jié)構(gòu)包括沿垂直襯底方向交替層疊的犧牲層及介質(zhì)層；
4、刻蝕疊層結(jié)構(gòu)，形成沿第一方向延伸的刻蝕槽及字線溝槽，字線溝槽位于刻蝕槽相對的兩側(cè)且與刻蝕槽相連通；第一方向與襯底的上表面相平行；
5、于字線溝槽內(nèi)形成虛擬字線；
6、于字線溝槽相對的兩側(cè)形成字線釋放孔；
7、基于字線釋放孔去除虛擬字線，以釋放字線溝槽；
8、于字線溝槽內(nèi)形成字線結(jié)構(gòu)及預(yù)設(shè)溝道層，字線結(jié)構(gòu)包括字線導(dǎo)電層、包覆于字線導(dǎo)電層外圍的柵介質(zhì)層，預(yù)設(shè)溝道層包覆于柵介質(zhì)層外圍；
9、去除字線釋放孔暴露出的預(yù)設(shè)溝道層以形成溝道層，溝道層沿所述第一方向間隔排布。
10、在一些實施例中，刻蝕槽將疊層結(jié)構(gòu)分割為沿第二方向間隔排布的子疊層結(jié)構(gòu)，第二方向與第一方向相垂直，且與襯底的上表面相平行；于字線溝槽內(nèi)形成虛擬字線之后，于字線溝槽相對的兩側(cè)形成字線釋放孔之前，還包括：
11、于刻蝕槽內(nèi)填滿位線材料層；
12、刻蝕位線材料層及子疊層結(jié)構(gòu)，以形成多個位線隔離槽及多個電容釋放孔；各位線隔離槽均沿第二方向延伸，且多個位線隔離槽沿第一方向間隔排布，以形成多個沿第一方向間隔排布的位線；多個電容釋放孔沿第一方向間隔排布，且與位線隔離槽對應(yīng)設(shè)置；
13、形成第一填充介質(zhì)層，第一填充介質(zhì)層填滿位線隔離槽及電容釋放孔；
14、于字線溝槽相對的兩側(cè)形成字線釋放孔包括：于字線溝槽相對兩側(cè)的第一填充介質(zhì)層內(nèi)形成字線釋放孔。
15、在一些實施例中，形成第一填充介質(zhì)層之后，于字線溝槽相對的兩側(cè)形成字線釋放孔之前，還包括：
16、去除保留的犧牲層，以形成電容孔；
17、于電容孔內(nèi)形成電容結(jié)構(gòu)。
18、在一些實施例中，形成第一填充介質(zhì)層之后，去除保留的犧牲層，以形成電容孔之前，還包括：去除部分子疊層結(jié)構(gòu)，以于子疊層結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離刻蝕槽的一側(cè)裸露出襯底的部分上表面；
19、電容結(jié)構(gòu)包括下電極層、位于下電極層表面的電容介質(zhì)層及位于電容介質(zhì)層表面的上電極層；電容結(jié)構(gòu)還位于襯底裸露的上表面，位于刻蝕槽同一側(cè)的多個電容結(jié)構(gòu)共用上電極層。
20、在一些實施例中，于字線溝槽內(nèi)形成字線結(jié)構(gòu)及預(yù)設(shè)溝道層，包括：
21、于字線釋放孔內(nèi)及字線溝槽內(nèi)均形成字線導(dǎo)電材料層、柵介質(zhì)材料層及溝道材料層；
22、去除位于字線釋放孔內(nèi)的字線導(dǎo)電材料層、柵介質(zhì)材料層，及溝道材料層，以形成字線結(jié)構(gòu)及預(yù)設(shè)溝道層。
23、在一些實施例中，于字線溝槽內(nèi)形成虛擬字線，包括：于字線溝槽內(nèi)形成無定形碳層作為虛擬字線。
24、在一些實施例中，犧牲層包括氮化硅層，介質(zhì)層包括氧化硅層。
25、在一些實施例中，去除字線釋放孔暴露出的預(yù)設(shè)溝道層之后，形成去除間隙；去除字線釋放孔暴露出的預(yù)設(shè)溝道層之后，還包括：
26、形成第二填充介質(zhì)層，第二填充介質(zhì)層填滿字線釋放孔及去除間隙。
27、根據(jù)一些實施例，本公開的另一方面提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括襯底、字線結(jié)構(gòu)以及溝道層；襯底上形成有沿垂直襯底方向間隔層疊的介質(zhì)層，以及沿第一方向延伸的刻蝕槽及字線溝槽，字線溝槽位于刻蝕槽相對的兩側(cè)且與刻蝕槽相連通；第一方向與襯底的上表面相平行；字線結(jié)構(gòu)位于字線溝槽內(nèi)，字線結(jié)構(gòu)包括字線導(dǎo)電層以及包覆于字線導(dǎo)電層外圍的柵介質(zhì)層；溝道層沿第一方向間隔排布，包覆于部分柵介質(zhì)層外圍。
28、在一些實施例中，刻蝕槽內(nèi)設(shè)置有沿第二方向間隔排布的位線及位線隔離結(jié)構(gòu)，第二方向與第一方向相垂直，且與襯底的上表面相平行；位線隔離結(jié)構(gòu)包括第一填充介質(zhì)層及第二填充介質(zhì)層，第一填充介質(zhì)層位于相鄰的位線之間，第二填充介質(zhì)層位于第一填充介質(zhì)層的兩側(cè)。
29、在一些實施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括多個電容結(jié)構(gòu)；電容結(jié)構(gòu)位于字線溝槽遠(yuǎn)離刻蝕槽的一側(cè)，且沿第一方向延伸；電容結(jié)構(gòu)包括下電極層、位于下電極層表面的電容介質(zhì)層及位于電容介質(zhì)層表面的上電極層；下電極層與溝道層相接觸；電容結(jié)構(gòu)還位于襯底裸露的上表面，位于刻蝕槽同一側(cè)的多個電容結(jié)構(gòu)共用上電極層。
30、根據(jù)一些實施例，本公開的又一方面提供一種存儲器，包括上述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
31、本公開實施例可以/至少具有以下優(yōu)點：
32、本公開實施例中，通過刻蝕疊層結(jié)構(gòu)，形成沿第一方向延伸的刻蝕槽及字線溝槽，減少了刻蝕工藝難度。并且，通過于字線溝槽內(nèi)形成虛擬字線，于字線溝槽相對的兩側(cè)形成字線釋放孔，再基于字線釋放孔去除虛擬字線，以釋放字線溝槽，避免了在細(xì)狹縫處沉積溝道層，降低了工藝難度。以及，于字線溝槽內(nèi)形成字線結(jié)構(gòu)，字線結(jié)構(gòu)包括字線導(dǎo)電層、包覆于字線導(dǎo)電層外圍的柵介質(zhì)層，溝道層沿第一方向間隔排布，包覆于部分柵介質(zhì)層外圍，從而形成水平的全環(huán)繞型溝道(channel-all-around，簡稱caa)結(jié)構(gòu)，有利于節(jié)省結(jié)構(gòu)尺寸與工藝堆疊，以提高器件的存儲密度。之后，去除字線釋放孔暴露出的溝道層，消除寄生溝道的影響。如此，本公開實施例能夠簡化工藝流程，并且提高存儲器的性能。
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述刻蝕槽將所述疊層結(jié)構(gòu)分割為沿第二方向間隔排布的子疊層結(jié)構(gòu)，所述第二方向與所述第一方向相垂直，且與所述襯底的上表面相平行；于所述字線溝槽內(nèi)形成虛擬字線之后，于所述字線溝槽相對的兩側(cè)形成字線釋放孔之前，還包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，形成第一填充介質(zhì)層之后，于所述字線溝槽相對的兩側(cè)形成字線釋放孔之前，還包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，于所述字線溝槽內(nèi)形成字線結(jié)構(gòu)及預(yù)設(shè)溝道層，包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，于所述字線溝槽內(nèi)形成虛擬字線，包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述犧牲層包括氮化硅層，所述介質(zhì)層包括氧化硅層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，去除所述字線釋放孔暴露出的所述預(yù)設(shè)溝道層之后，形成去除間隙；去除所述字線釋放孔暴露出的所述預(yù)設(shè)溝道層之后，還包括：
9.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述刻蝕槽內(nèi)設(shè)置有沿第二方向間隔排布的位線及位線隔離結(jié)構(gòu)，所述第二方向與所述第一方向相垂直，且與所述襯底的上表面相平行；
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括多個電容結(jié)構(gòu)；所述電容結(jié)構(gòu)位于所述字線溝槽遠(yuǎn)離所述刻蝕槽的一側(cè)，且沿第一方向延伸；
12.一種存儲器，其特征在于，包括：