本發(fā)明涉及微型led用接合型晶圓的制造方法。
背景技術(shù)：
1、為了實(shí)現(xiàn)基于微型發(fā)光二極管(micro?led)的顯示器，公開了一種使用激光剝離(llo，laser?lift-off)技術(shù)從起始基板上剝離gan系led并將其轉(zhuǎn)移至安裝用基板、轉(zhuǎn)移至驅(qū)動基板的技術(shù)(專利文獻(xiàn)1)。
2、此外，還公開有適合于上表面雙電極型led的llo的技術(shù)(專利文獻(xiàn)2)，但其為涉及gan系led的技術(shù)，其構(gòu)成為極通常的膜厚結(jié)構(gòu)。這是因?yàn)間an系led的機(jī)械強(qiáng)度強(qiáng)，并且在llo轉(zhuǎn)印程序中結(jié)構(gòu)上所要求的條件較少。
3、另一方面，未公開使用了algainp系led的llo技術(shù)。這是因?yàn)閍lgainp系led的起始基板為gaas，在原理上無法在附有起始基板的狀態(tài)下進(jìn)行l(wèi)lo(激光剝離)。但是，只要去除起始基板并將外延層移載至能夠進(jìn)行l(wèi)lo的基板，則能夠進(jìn)行l(wèi)lo(激光剝離)。
4、雖然并非適用llo技術(shù)，但公開有一種作為algainp系led的移載技術(shù)通過犧牲層蝕刻從起始基板上進(jìn)行分離的技術(shù)(專利文獻(xiàn)3)。此外，還有去除犧牲層并經(jīng)由bcb(粘合劑)而接合于支撐基板的技術(shù)(專利文獻(xiàn)4)，但是其并非適于llo用途的構(gòu)造，而仍不存在適于llo的algainp系led結(jié)構(gòu)的公開內(nèi)容。
5、algainp系led的機(jī)械強(qiáng)度低于gan系led。因此，在algainp系led的上表面雙電極結(jié)構(gòu)中進(jìn)行l(wèi)lo轉(zhuǎn)印時，在與gan系led相同的條件下，會存在在轉(zhuǎn)印工序中l(wèi)ed破裂(被破壞)的問題。
6、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
7、專利文獻(xiàn)
8、專利文獻(xiàn)1：日本特表2020-521181號公報(bào)
9、專利文獻(xiàn)2：日本特開2015-2324號公報(bào)
10、專利文獻(xiàn)3：日本特開2021-153186號公報(bào)
11、專利文獻(xiàn)4：日本特開2006-32952號公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、（一）要解決的技術(shù)問題
2、本發(fā)明是鑒于上述問題而成的，目的在于提供一種algainp系微型led用接合型晶圓的制造方法，該制造方法改善了因llo工序時的微型led元件的破裂所造成的產(chǎn)率下降。
3、（二）技術(shù)方案
4、本發(fā)明是為了實(shí)現(xiàn)上述目的而完成的，本發(fā)明提供一種微型led用接合型晶圓的制造方法，其特征在于，通過下述工序并通過從所述透明基板側(cè)照射激光從而使與所述透明基板接觸的熱固化型接合構(gòu)件升華的激光剝離處理，將所述透明基板與所述微型led元件分離，從而制造微型led用接合型晶圓，使algainp系的由第一導(dǎo)電型構(gòu)成的第一包層、algainp系的未摻雜的活性層、algainp系的由第二導(dǎo)電型構(gòu)成的第二包層在gaas基板上外延生長制成外延層的工序；使gap窗層在所述第二包層上生長的工序；經(jīng)由熱固化型構(gòu)件將所述gap窗層與作為對可見光及紫外光透明的被接合基板的透明基板接合的工序；將所述gaas基板剝離的工序；將所述外延層分離為短邊邊長為50μm以下的方形的微型led元件的工序；使所述微型led元件的部分區(qū)域的所述第二包層或所述gap窗層露出的工序；形成與所述第一導(dǎo)電型的層接觸的第一電極及與所述第二導(dǎo)電型的層接觸的第二電極，實(shí)施熱處理，從而形成歐姆接觸的工序；及經(jīng)由有機(jī)硅樹脂將所述第一電極及所述第二電極粘合于移載基板的工序，在該微型led用接合型晶圓的制造方法中，將所述gap窗層的厚度設(shè)為6μm以上。
5、通過如此將gap窗層的厚度設(shè)為6μm以上，即便是短邊邊長為50μm以下的方形這樣的微小的algainp系微型led元件，也能夠在進(jìn)行激光剝離處理時抑制破裂從而改善產(chǎn)率的下降。
6、此時，優(yōu)選將所述熱固化型接合構(gòu)件設(shè)為苯并環(huán)丁烯、有機(jī)硅樹脂、環(huán)氧樹脂、sog、聚酰亞胺及無定形氟樹脂中的至少任意一種。
7、若為這樣的熱固化型接合構(gòu)件，則能夠更可靠地進(jìn)行基于準(zhǔn)分子激光的激光剝離處理。
8、此外，優(yōu)選將所述透明基板設(shè)為藍(lán)寶石基板或石英基板。
9、由此，若將作為被接合基板的透明基板設(shè)為由藍(lán)寶石或石英構(gòu)成的基板，則相對于準(zhǔn)分子激光呈透明且熱強(qiáng)度也充分，從而合適。
10、此外，優(yōu)選將把所述外延層分離為所述微型led元件的工序中的方法設(shè)為通過利用光刻法形成圖案并使用了氯氣及氬氣的icp蝕刻而進(jìn)行的方法。
11、若為這樣的方法，則能夠較容易且可靠地進(jìn)行元件分離。
12、此外，優(yōu)選將所述移載基板設(shè)為石英基板。
13、在本發(fā)明的微型led用接合型晶圓的制造方法中，能夠適用石英基板作為移載基板。
14、（三）有益效果
15、若為本發(fā)明的接合型發(fā)光元件晶圓的制造方法，則通過將gap窗層的厚度設(shè)為6μm以上這樣厚的層，即便是以algainp系材料這樣強(qiáng)度較低的材料制作短邊邊長為50μm以下的方形這樣的微小的微型led元件時，也能夠成為一種改善了因llo工序時的微型led元件的破裂所造成的產(chǎn)率下降的algainp系微型led用接合型晶圓的制造方法。
1.一種微型led用接合型晶圓的制造方法，其特征在于，通過下述工序并通過從透明基板側(cè)照射激光從而使與所述透明基板接觸的熱固化型接合構(gòu)件升華的激光剝離處理，將所述透明基板與微型led元件分離，從而制造微型led用接合型晶圓，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型led用接合型晶圓的制造方法，其特征在于，將所述熱固化型接合構(gòu)件設(shè)為苯并環(huán)丁烯、有機(jī)硅樹脂、環(huán)氧樹脂、旋涂玻璃、聚酰亞胺及無定形氟樹脂中的至少任意一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的微型led用接合型晶圓的制造方法，其特征在于，將所述透明基板設(shè)為藍(lán)寶石基板或石英基板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的微型led用接合型晶圓的制造方法，其特征在于，將把所述外延層分離為所述微型led元件的工序中的方法設(shè)為通過利用光刻法形成圖案并使用了氯氣及氬氣的電感耦合等離子體蝕刻而進(jìn)行的方法。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的微型led用接合型晶圓的制造方法，其特征在于，將所述移載基板設(shè)為石英基板。