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MEMS揚聲器的制造方法

文檔序號:42026064發(fā)布日期:2025-05-30 17:09閱讀:5來源:國知局

本申請涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域,尤其涉及一種mems揚聲器的制造方法。


背景技術(shù):

1、目前,mems(微電子機械系統(tǒng),microelectromechanical?systems)得到了廣泛的引用,例如mems揚聲器。

2、本申請發(fā)明人發(fā)現(xiàn),由于傳統(tǒng)的mems揚聲器具有狹縫,導(dǎo)致低頻響應(yīng)較差,另外,在現(xiàn)有的一些技術(shù)中,存在通過配置非可拉伸膜的結(jié)構(gòu),但這樣的結(jié)構(gòu)會導(dǎo)致中高頻響應(yīng)的惡化。

3、本部分旨在為權(quán)利要求書中陳述的本申請實施例提供背景或上下文。此處的描述不因為包括在本部分中就承認(rèn)是現(xiàn)有技術(shù)。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請發(fā)明人發(fā)現(xiàn),通過在mems揚聲器振膜的表面設(shè)置可拉伸膜,利用可拉伸膜填充或者覆蓋振動用空間,遮擋聲波的泄露通道,減少振動用空間帶來的聲音泄露,削弱聲短路效應(yīng),提高揚聲器的低頻響應(yīng)。同時,利用可拉伸膜的可拉伸特性,減弱可拉伸膜對振膜振動的抑制作用,保證揚聲器的中高頻特性受到的影響較小,由此,可以實現(xiàn)在基本不影響揚聲器中高頻特性的前提下改善低頻的響應(yīng)。

2、不過,目前通常以單純的使用貼片的方式配置可拉伸膜,其厚度一般在15微米以上。而對于壓電mems揚聲器來說,需要配置更薄的厚度的可拉伸膜,從而在提升低頻性能的同時,保證中高頻性能不受影響。為了實現(xiàn)更薄的可拉伸膜的配置,需要新的方案。

3、為了解決上述問題中的至少一個或其他類似的問題,本申請實施例提供一種mems揚聲器的制造方法。

4、根據(jù)本申請實施例,提供一種mems揚聲器的制造方法,所述方法包括:

5、刻蝕操作,刻蝕沉積于硅片上的壓電結(jié)構(gòu),所述壓電結(jié)構(gòu)包括至少一個壓電層和至少一個電極層,形成貫穿所述壓電結(jié)構(gòu)的狹縫;

6、背刻保護操作,在所述壓電結(jié)構(gòu)的設(shè)置有硅片一側(cè)的相反側(cè)形成背刻保護結(jié)構(gòu);

7、背刻操作,從所述硅片的設(shè)置所述壓電結(jié)構(gòu)的一側(cè)進行背刻,形成空腔;

8、背刻保護去除操作,去除所述背刻保護結(jié)構(gòu);

9、劃片操作,沿著所述硅片的所述空腔之間的部分劃片,獲得mems揚聲器芯片,

10、所述方法還包括可拉伸膜設(shè)置操作,在所述壓電結(jié)構(gòu)的靠所述電極層側(cè)設(shè)置覆蓋所述狹縫的可拉伸膜,所述可拉伸膜設(shè)置操作在所述刻蝕操作和所述背刻保護操作之間,或者,所述可拉伸膜設(shè)置操作在所述背刻保護去除操作和所述劃片操作之間。

11、本申請實施例的有益效果之一在于,通過可拉伸膜設(shè)置操作,在壓電結(jié)構(gòu)的靠電極層側(cè)設(shè)置覆蓋狹縫的可拉伸膜,由此能夠?qū)⒖衫炷ぜ傻絤ems揚聲器中。



技術(shù)特征:

1.一種mems揚聲器的制造方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法在所述刻蝕操作之前還包括:

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其特征在于,

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其特征在于,

13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任意一項所述的方法,其特征在于,

14.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任意一項所述的方法,其特征在于,

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其特征在于,

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法,其特征在于,

17.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任意一項所述的方法,其特征在于,所述可拉伸膜的楊氏模量不超過100兆帕。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法,其特征在于,

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法,其特征在于,

20.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任意一項所述的方法,其特征在于,所述可拉伸膜的密度不超過10克每立方厘米。

21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法,其特征在于,

22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法,其特征在于,

23.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任意一項所述的方法,其特征在于,所述可拉伸膜可以為聚二甲基硅氧烷。


技術(shù)總結(jié)
本申請涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域且提供一種MEMS揚聲器的制造方法。所述制造方法包括:刻蝕操作,刻蝕沉積于硅片上的壓電結(jié)構(gòu),形成貫穿所述壓電結(jié)構(gòu)的狹縫;背刻保護操作;背刻操作;背刻保護去除操作和劃片操作,所述制造方法還包括可拉伸膜設(shè)置操作,所述可拉伸膜設(shè)置操作在所述刻蝕操作和所述背刻保護操作之間,或者,所述可拉伸膜設(shè)置操作在所述背刻保護去除操作和所述劃片操作之間。通過可拉伸膜設(shè)置操作,在壓電結(jié)構(gòu)的靠電極層側(cè)設(shè)置覆蓋狹縫的可拉伸膜,由此能夠?qū)⒖衫炷ぜ傻組EMS揚聲器中。

技術(shù)研發(fā)人員:張孟倫,徐林炳,龐慰
受保護的技術(shù)使用者:天津大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/5/29
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