本申請涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域,尤其涉及一種mems揚聲器的制造方法。
背景技術(shù):
1、目前,mems(微電子機械系統(tǒng),microelectromechanical?systems)得到了廣泛的引用,例如mems揚聲器。
2、本申請發(fā)明人發(fā)現(xiàn),由于傳統(tǒng)的mems揚聲器具有狹縫,導(dǎo)致低頻響應(yīng)較差,另外,在現(xiàn)有的一些技術(shù)中,存在通過配置非可拉伸膜的結(jié)構(gòu),但這樣的結(jié)構(gòu)會導(dǎo)致中高頻響應(yīng)的惡化。
3、本部分旨在為權(quán)利要求書中陳述的本申請實施例提供背景或上下文。此處的描述不因為包括在本部分中就承認(rèn)是現(xiàn)有技術(shù)。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本申請發(fā)明人發(fā)現(xiàn),通過在mems揚聲器振膜的表面設(shè)置可拉伸膜,利用可拉伸膜填充或者覆蓋振動用空間,遮擋聲波的泄露通道,減少振動用空間帶來的聲音泄露,削弱聲短路效應(yīng),提高揚聲器的低頻響應(yīng)。同時,利用可拉伸膜的可拉伸特性,減弱可拉伸膜對振膜振動的抑制作用,保證揚聲器的中高頻特性受到的影響較小,由此,可以實現(xiàn)在基本不影響揚聲器中高頻特性的前提下改善低頻的響應(yīng)。
2、不過,目前通常以單純的使用貼片的方式配置可拉伸膜,其厚度一般在15微米以上。而對于壓電mems揚聲器來說,需要配置更薄的厚度的可拉伸膜,從而在提升低頻性能的同時,保證中高頻性能不受影響。為了實現(xiàn)更薄的可拉伸膜的配置,需要新的方案。
3、為了解決上述問題中的至少一個或其他類似的問題,本申請實施例提供一種mems揚聲器的制造方法。
4、根據(jù)本申請實施例,提供一種mems揚聲器的制造方法,所述方法包括:
5、刻蝕操作,刻蝕沉積于硅片上的壓電結(jié)構(gòu),所述壓電結(jié)構(gòu)包括至少一個壓電層和至少一個電極層,形成貫穿所述壓電結(jié)構(gòu)的狹縫;
6、背刻保護操作,在所述壓電結(jié)構(gòu)的設(shè)置有硅片一側(cè)的相反側(cè)形成背刻保護結(jié)構(gòu);
7、背刻操作,從所述硅片的設(shè)置所述壓電結(jié)構(gòu)的一側(cè)進行背刻,形成空腔;
8、背刻保護去除操作,去除所述背刻保護結(jié)構(gòu);
9、劃片操作,沿著所述硅片的所述空腔之間的部分劃片,獲得mems揚聲器芯片,
10、所述方法還包括可拉伸膜設(shè)置操作,在所述壓電結(jié)構(gòu)的靠所述電極層側(cè)設(shè)置覆蓋所述狹縫的可拉伸膜,所述可拉伸膜設(shè)置操作在所述刻蝕操作和所述背刻保護操作之間,或者,所述可拉伸膜設(shè)置操作在所述背刻保護去除操作和所述劃片操作之間。
11、本申請實施例的有益效果之一在于,通過可拉伸膜設(shè)置操作,在壓電結(jié)構(gòu)的靠電極層側(cè)設(shè)置覆蓋狹縫的可拉伸膜,由此能夠?qū)⒖衫炷ぜ傻絤ems揚聲器中。
1.一種mems揚聲器的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法在所述刻蝕操作之前還包括:
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其特征在于,
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其特征在于,
13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任意一項所述的方法,其特征在于,
14.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任意一項所述的方法,其特征在于,
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其特征在于,
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法,其特征在于,
17.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任意一項所述的方法,其特征在于,所述可拉伸膜的楊氏模量不超過100兆帕。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法,其特征在于,
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法,其特征在于,
20.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任意一項所述的方法,其特征在于,所述可拉伸膜的密度不超過10克每立方厘米。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法,其特征在于,
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法,其特征在于,
23.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任意一項所述的方法,其特征在于,所述可拉伸膜可以為聚二甲基硅氧烷。