本申請涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，尤其涉及一種mems揚聲器的制造方法。
背景技術(shù)：
1、目前，mems(微電子機械系統(tǒng)，microelectromechanical?systems)得到了廣泛的引用，例如mems揚聲器。
2、本申請發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，由于傳統(tǒng)的mems揚聲器具有狹縫，導(dǎo)致低頻響應(yīng)較差，另外，在現(xiàn)有的一些技術(shù)中，存在通過配置非可拉伸膜的結(jié)構(gòu)，但這樣的結(jié)構(gòu)會導(dǎo)致中高頻響應(yīng)的惡化。
3、本部分旨在為權(quán)利要求書中陳述的本申請實施例提供背景或上下文。此處的描述不因為包括在本部分中就承認(rèn)是現(xiàn)有技術(shù)。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本申請發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過在mems揚聲器振膜的表面設(shè)置可拉伸膜，利用可拉伸膜填充或者覆蓋振動用空間，遮擋聲波的泄露通道，減少振動用空間帶來的聲音泄露，削弱聲短路效應(yīng)，提高揚聲器的低頻響應(yīng)。同時，利用可拉伸膜的可拉伸特性，減弱可拉伸膜對振膜振動的抑制作用，保證揚聲器的中高頻特性受到的影響較小，由此，可以實現(xiàn)在基本不影響揚聲器中高頻特性的前提下改善低頻的響應(yīng)。
2、不過，目前通常以單純的使用貼片的方式配置可拉伸膜，其厚度一般在15微米以上。而對于壓電mems揚聲器來說，需要配置更薄的厚度的可拉伸膜，從而在提升低頻性能的同時，保證中高頻性能不受影響。為了實現(xiàn)更薄的可拉伸膜的配置，需要新的方案。
3、為了解決上述問題中的至少一個或其他類似的問題，本申請實施例提供一種mems揚聲器的制造方法。
4、根據(jù)本申請實施例，提供一種mems揚聲器的制造方法，所述方法包括：
5、刻蝕操作，刻蝕沉積于硅片上的壓電結(jié)構(gòu)，所述壓電結(jié)構(gòu)包括至少一個壓電層和至少一個電極層，形成貫穿所述壓電結(jié)構(gòu)的狹縫；
6、背刻保護操作，在所述壓電結(jié)構(gòu)的設(shè)置有硅片一側(cè)的相反側(cè)形成背刻保護結(jié)構(gòu)；
7、背刻操作，從所述硅片的設(shè)置所述壓電結(jié)構(gòu)的一側(cè)進行背刻，形成空腔；
8、背刻保護去除操作，去除所述背刻保護結(jié)構(gòu)；
9、劃片操作，沿著所述硅片的所述空腔之間的部分劃片，獲得mems揚聲器芯片，
10、所述方法還包括可拉伸膜設(shè)置操作，在所述壓電結(jié)構(gòu)的靠所述電極層側(cè)設(shè)置覆蓋所述狹縫的可拉伸膜，所述可拉伸膜設(shè)置操作在所述刻蝕操作和所述背刻保護操作之間，或者，所述可拉伸膜設(shè)置操作在所述背刻保護去除操作和所述劃片操作之間。
11、本申請實施例的有益效果之一在于，通過可拉伸膜設(shè)置操作，在壓電結(jié)構(gòu)的靠電極層側(cè)設(shè)置覆蓋狹縫的可拉伸膜，由此能夠?qū)⒖衫炷ぜ傻絤ems揚聲器中。
1.一種mems揚聲器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法在所述刻蝕操作之前還包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，
13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任意一項所述的方法，其特征在于，
14.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任意一項所述的方法，其特征在于，
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，
17.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任意一項所述的方法，其特征在于，所述可拉伸膜的楊氏模量不超過100兆帕。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，
20.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任意一項所述的方法，其特征在于，所述可拉伸膜的密度不超過10克每立方厘米。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，
23.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任意一項所述的方法，其特征在于，所述可拉伸膜可以為聚二甲基硅氧烷。