本發(fā)明涉及一種用于運(yùn)送晶片狀物件(如半導(dǎo)體晶片)的設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體設(shè)備制造過程中，通常會在半導(dǎo)體晶片上執(zhí)行多個不同的處理，以便在晶片上制造半導(dǎo)體設(shè)備。這些處理通常包括蝕刻先前沉積在晶片表面的材料層，以去除部分材料。這通常是通過在晶片的表面涂布蝕刻化學(xué)物質(zhì)來實現(xiàn)的，以蝕刻晶片表面的材料層。在蝕刻處理(即所謂的旋轉(zhuǎn)蝕刻處理)期間，晶片可能會旋轉(zhuǎn)。

2、在執(zhí)行這種蝕刻處理時，待處理的晶片通常從晶片盒(如前開式晶片傳送盒，foup)中取出。然后，通常將待處理的晶片放置在晶片支撐件上，例如可旋轉(zhuǎn)卡盤上，晶片上有待蝕刻材料層的一面朝上。然后，將蝕刻化學(xué)物質(zhì)涂布在晶片朝上表面的材料層上，以對材料層進(jìn)行蝕刻。晶片的相對側(cè)通常避免與蝕刻化學(xué)物質(zhì)接觸，因此晶片的另一側(cè)受到保護(hù)，而不會受到蝕刻化學(xué)物質(zhì)的影響。

3、蝕刻處理完成之后，隨后可對晶片的朝上的表面進(jìn)行清洗，例如在晶片的該表面噴灑清洗液或沖洗液。同樣，在所謂的旋轉(zhuǎn)清洗處理中，晶片可在清洗處理期間旋轉(zhuǎn)。

4、然后，晶片可從晶片支撐件上取下，并傳送到相同或不同的晶片盒中，或傳送到用于進(jìn)一步處理的裝置中以進(jìn)行進(jìn)一步處理。

5、在申請人以前用于執(zhí)行這種蝕刻處理的裝置中，使用機(jī)械臂的末端執(zhí)行器從晶片盒中取出晶片。末端執(zhí)行器通常是伯努利(bernoulli)型末端執(zhí)行器或伯努利末端執(zhí)行器，它利用伯努利原理或效應(yīng)以非接觸的方式支撐晶片。這樣的末端執(zhí)行器通常在末端執(zhí)行器的支撐表面上具有多個氣體出口，這些氣體出口被配置為供應(yīng)氣體，以便根據(jù)伯努利原理或效應(yīng)以非接觸的方式支撐晶片。

6、特別是，在末端執(zhí)行器的支撐表面以及晶片之間形成了氣墊，其中氣流使得至少在末端執(zhí)行器的支撐表面和晶片之間的部分區(qū)域形成低壓(或較低的壓力或減小的壓力)。這代表晶片通過低壓被吸向末端執(zhí)行器的支撐表面，從而晶片被末端執(zhí)行器保持，但通過氣墊避免與末端執(zhí)行器的支撐表面接觸。因此，晶片被支撐在氣墊上，并與末端執(zhí)行器的支撐表面保持一定距離。

7、通常，這種末端執(zhí)行器位于晶片下方，并用于從下方支撐晶片。

8、這種末端執(zhí)行器通常很薄，且呈平板狀或刀片狀，因此末端執(zhí)行器可插入堆放在晶片盒中的不同晶片之間。

9、末端執(zhí)行器可類似于例如us?5,967,578所述的工具，其全部內(nèi)容均并入本文作為參考。

10、在申請人之前使用的裝置中，由末端執(zhí)行器所支撐的晶片通過機(jī)械臂傳送到另一晶片運(yùn)送設(shè)備，晶片運(yùn)送設(shè)備用于隨后將晶片從末端執(zhí)行器運(yùn)送到晶片支撐設(shè)備以進(jìn)行處理。

11、晶片運(yùn)送設(shè)備可類似于例如us?6,152,507所述的運(yùn)送設(shè)備，其全部內(nèi)容并入本文作為參考。

12、晶片運(yùn)送設(shè)備被配置為根據(jù)伯努利原理或效應(yīng)從上方支撐晶片。因此，例如，晶片運(yùn)送設(shè)備可以是所謂的伯努利夾持器(bernoulli?gripper)或伯努利夾持器(bernoulligrip)等。

13、例如，圖9a為這種晶片運(yùn)送設(shè)備的示意圖。如圖9a所示，晶片運(yùn)送設(shè)備包括支撐件1，它的下側(cè)或底側(cè)具有平面3。在支撐件1中形成了氣體通道5，氣體通道以向外傾斜的方式朝平面3延伸，在它的一端終止于平面3中的氣體出口開口。氣體通道5的另一端與氣體供應(yīng)管道7相連，以用于經(jīng)由氣體通道5向平面3供應(yīng)氣體。

14、氣體通道5是在支撐件1的插入部和支撐件1的主體部之間形成的環(huán)形間隙。因此，氣體通道5為環(huán)形氣體通道。

15、氣體通道5被配置為，根據(jù)伯努利原理或效應(yīng)，從氣體通道5向平面3所供應(yīng)的氣體以非接觸的方式在支撐件1的平面3下方支撐晶片9。

16、特別是，在晶片運(yùn)送設(shè)備的平面3和晶片9之間形成氣墊，其中經(jīng)由氣體通道5的氣流使得至少在平面3和晶片9之間的部分區(qū)域形成低壓(或較低的壓力或減小的壓力)。特別是，至少在環(huán)形氣體通道5內(nèi)部的平面3的中心區(qū)域形成低壓。這代表晶片9通過低壓被吸向平面3，從而晶片9被晶片運(yùn)送設(shè)備保持，但通過氣墊避免與平面3接觸。因此，晶片9被支撐在氣墊上，并在平面3下方與平面3保持一定間距。

17、為了將晶片9從末端執(zhí)行器2轉(zhuǎn)移到晶片運(yùn)送設(shè)備，晶片運(yùn)送設(shè)備位于晶片9的上方，而晶片9則通過末端執(zhí)行器從下方支撐。然后，經(jīng)由晶片運(yùn)送設(shè)備的氣體通道5提供氣體，由于氣體流經(jīng)氣體通道5所造成的低壓(或較低的壓或減小的壓力)，晶片9被向上吸向支撐件1的平面3，但氣流避免了晶片9與平面3接觸。來自末端執(zhí)行器2的任何氣體供應(yīng)可同時停止，以幫助晶片9從末端執(zhí)行器2轉(zhuǎn)移到晶片運(yùn)送設(shè)備。

18、然后使用晶片運(yùn)送設(shè)備將晶片9輸送到晶片支撐件上，例如旋轉(zhuǎn)卡盤上，并使晶片9下降到晶片支撐件上，以便對晶片9進(jìn)行后續(xù)處理。

19、例如，支撐件1可附接到傳輸設(shè)備或傳輸機(jī)構(gòu)或操縱器(manipulator)，例如機(jī)械臂，以用于移動支撐件1，且因此通過支撐件1保持晶片。

20、如圖9a所示，晶片運(yùn)送設(shè)備進(jìn)一步包括多個導(dǎo)向臂11，導(dǎo)向臂11與氣體出口開口外側(cè)的氣體出口開口相鄰。多個導(dǎo)向臂11突出到支撐件1的平面3之外，并可相對于平面3進(jìn)行徑向調(diào)節(jié)。

21、多個導(dǎo)向臂11被配置為限制或約束被支撐在平面3下方的晶片9相對于平面3的橫向移動。特別是，如果晶片9相對于平面3橫向移動，多個導(dǎo)向臂被配置為接觸晶片9的圓周邊緣，以限制或約束晶片9相對于平面3的橫向移動。因此，導(dǎo)向臂11不會夾持晶片9，而是為晶片9形成可調(diào)節(jié)的圓周對準(zhǔn)表面、對準(zhǔn)線或?qū)?zhǔn)點。

22、隨后，在晶片處理完成之后，可使用晶片運(yùn)送設(shè)備從上方的晶片支撐件取下晶片，并傳送回末端執(zhí)行器。末端執(zhí)行器可定位在晶片下方，然后晶片可從晶片運(yùn)送設(shè)備傳送到末端執(zhí)行器，這樣晶片就可通過末端執(zhí)行器傳送到相同或不同的晶片盒，或傳送到進(jìn)一步的處理裝置以進(jìn)行進(jìn)一步處理。

23、本發(fā)明人已意識到，這種現(xiàn)有的布置的可能缺點是，很難使用現(xiàn)有布置同時對晶片的正面以及背面進(jìn)行處理。特別是，只有在末端執(zhí)行器位于晶片下方以及晶片運(yùn)送設(shè)備位于晶片上方(即晶片位于末端執(zhí)行器以及晶片運(yùn)送設(shè)備之間)的特定配置下，才能在末端執(zhí)行器以及晶片運(yùn)送設(shè)備之間轉(zhuǎn)移晶片。

24、例如，在上述布置中，末端執(zhí)行器2可從晶片盒中拾取晶片，末端執(zhí)行器位于晶片下方，而晶片的第一側(cè)朝上，遠(yuǎn)離末端執(zhí)行器。然后，末端執(zhí)行器2可將晶片定位在晶片運(yùn)送設(shè)備的支撐件1下方，晶片的第一側(cè)朝上朝向支撐件1，且對晶片的支撐可從末端執(zhí)行器轉(zhuǎn)移到支撐件1。然后，晶片運(yùn)送設(shè)備可將晶片輸送至晶片支撐件，例如旋轉(zhuǎn)卡盤，并使晶片下降至晶片支撐件上，晶片的第一側(cè)朝上遠(yuǎn)離晶片支撐件。然后對晶片的第一側(cè)進(jìn)行處理。

25、然而，在這樣的布置下，不可能對與第一側(cè)相對的晶片第二側(cè)進(jìn)行處理，因為晶片不能以晶片的第二側(cè)朝上遠(yuǎn)離晶片支撐件的方式被放置在晶片支撐件上。

26、另外，如果晶片9被末端執(zhí)行器2從上方拾取(圖9b)，第一側(cè)朝向末端執(zhí)行器9，則第二側(cè)朝向運(yùn)送設(shè)備，因此只處理第二側(cè)。如果晶片非常薄和/或翹曲，當(dāng)末端執(zhí)行器為伯努利末端執(zhí)行器時，可能需要以這種方式拾取晶片。因此，從晶片盒中取出晶片的方式?jīng)Q定了晶片的處理方式。

27、本發(fā)明是基于上述考慮而設(shè)計的。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種用于運(yùn)送晶片狀物件的設(shè)備，設(shè)備包括：具有支撐表面的支撐件；在支撐件中的一個或更多個氣體通道，在支撐表面具有一個或更多個出口；以及在支撐表面上的一個或更多個凹槽，凹槽用于接收用于支撐晶片狀物件的末端執(zhí)行器的至少一部分。

2、根據(jù)本發(fā)明，用于支撐晶片狀物件的末端執(zhí)行器的至少一部分可以被接收到支撐表面上的一個或更多個凹槽中。因此，在第一布置方式中，用于支撐晶片狀物件的末端執(zhí)行器的至少一部分可插入支撐表面上的一個或更多個凹槽中，末端執(zhí)行器位于支撐件和晶片狀物件之間。例如，可將末端執(zhí)行器垂直于支撐表面移動，以便將末端執(zhí)行器的至少一部分插入支撐表面的一個或更多個凹槽中，和/或可將末端執(zhí)行器平行于支撐表面移動(例如橫向移動)，以便將末端執(zhí)行器的至少一部分插入支撐表面的一個或更多個凹槽中。然后，對晶片狀物件的支撐可從末端執(zhí)行器轉(zhuǎn)移到支撐件上，然后末端執(zhí)行器可從支撐表面的一個或更多個凹槽中橫向抽出，同時晶片由支撐件支撐。

3、此外，在第二布置方式中，可將支撐晶片狀物件的末端執(zhí)行器定位成使得晶片狀物件在末端執(zhí)行器和支撐件之間。然后，對晶片狀物件的支撐可從末端執(zhí)行器轉(zhuǎn)移到支撐件上，然后末端執(zhí)行器和/或支撐件可被移開。

4、這有助于將晶片狀物件定位在支撐件上，使晶片狀物件的第一主面朝向遠(yuǎn)離支撐件的方向，或晶片狀物件的第二主面朝向遠(yuǎn)離支撐件的方向。這樣可助于隨后將晶片狀物件定位在處理裝置的晶片支撐件(如旋轉(zhuǎn)卡盤)上，使晶片狀物件的第一主面朝上進(jìn)行處理，或使晶片狀物件的第二主面朝上進(jìn)行處理。

5、例如，當(dāng)需要對晶片的正面和背面進(jìn)行處理，因此需要在一個或更多個處理設(shè)備中連續(xù)暴露晶片狀物件的兩面進(jìn)行處理時，這樣做會很有利。

6、根據(jù)本發(fā)明第一方面的設(shè)備可具有以下任一可選特征，或者在兼容的情況下，具有以下可選特征的任何組合。

7、設(shè)備也可稱為裝置。

8、設(shè)備可以是運(yùn)送設(shè)備，或運(yùn)輸設(shè)備，或移動設(shè)備。

9、設(shè)備可以是晶片運(yùn)送設(shè)備。

10、運(yùn)送晶片狀物件可意指移動或運(yùn)輸晶片狀物件。

11、晶片狀物件可以是晶片，例如諸如硅晶片之類的半導(dǎo)體晶片。

12、晶片狀物件可以是圓盤狀或圓盤形。

13、晶片狀物件可以是圓形或基本上圓形。

14、支撐件可以是設(shè)備的一部分，該部分面向正由設(shè)備運(yùn)送的晶片狀物件。

15、支撐件可以是設(shè)備的一部分，該部分用于支撐正由設(shè)備運(yùn)送的晶片狀物件。

16、支撐件可用于支撐晶片狀物件，或配置為或適于支撐晶片狀物件。

17、支撐件可包含單一部件或多個部件。

18、支撐表面可以是支撐件的表面，該表面朝向正由設(shè)備運(yùn)送的晶片狀物件。

19、支撐表面可用于支撐晶片狀物件，或配置為或適于支撐晶片狀物件。

20、支撐表面可用于以非接觸方式支撐晶片狀物件，或配置為或適于支撐晶片狀物件。

21、支撐表面可以是平坦面(planar)、平面(plane)或平坦的(flat)，或者基本上是平坦面、平面或平坦的。

22、支撐表面可以是支撐件的底表面或下表面。

23、支撐表面可以是設(shè)備的底表面或下表面。

24、一個或更多個氣體通道可包括一個或更多個噴嘴(nozzle)、孔洞(bore)、管路(tube)、管道(pipe)或通道(passage)。

25、一個或更多個氣體通道可包括縫隙(slit)、槽(slot)或間隙(gap)。

26、一個或更多個氣體通道可用于向一個或更多個出口運(yùn)送(conveying)或運(yùn)輸(transporting)或供應(yīng)(supplying)氣體，或可配置為向一個或更多個出口運(yùn)送或運(yùn)輸或供應(yīng)氣體。

27、一個或更多個氣體通道在支撐件中可指一個或更多個氣體通道在支撐件內(nèi)，或容納于支撐件內(nèi)，或被支撐件包圍。

28、一個或更多個氣體通道中的每一個可在支撐表面有各自的出口。

29、一個或更多個出口可以是一個或更多個氣體出口。

30、一個或更多個出口可以是支撐表面的一個或更多個開口或孔洞。

31、一個或更多個出口可包括細(xì)長的出口，例如環(huán)形出口。

32、一個或更多個氣體通道中的每一個的相對端(與出口相對)可連接到或配置為連接到氣體供應(yīng)布置件(gas?supply?arrangement)或氣體供應(yīng)設(shè)備(gas?supply)，例如配置為向一個或更多個氣體通道供應(yīng)氣體的氣體供應(yīng)管道。連接可以是直接連接，或經(jīng)由諸如附加管道或室之類的另一部件的間接連接。

33、支撐件可包括氣體供應(yīng)布置件或氣體供應(yīng)設(shè)備。

34、設(shè)備可包括或連接或可連接到用于向一個或更多個氣體通道供應(yīng)氣體的氣體供應(yīng)設(shè)備或氣體源。例如，氣體供應(yīng)設(shè)備或氣體源可包括氣體罐(tank)或容器，例如加壓氣體。

35、設(shè)備可包括或連接或可連接到氣體源，例如加壓氣體源。

36、一個或更多個凹槽可包括一個或更多個溝槽(trench)、或槽(trough)、或通道(channel)、或凹槽(recess)、或切口(cut-out)、或凹陷(depression)、或壓痕(indentation)。

37、一個或更多個溝槽可適于或配置為接收用于支撐晶片狀物件的末端執(zhí)行器的至少一部分。

38、一個或更多個凹槽可用于接收末端執(zhí)行器的遠(yuǎn)端(distal?end)的至少一部分。

39、一個或更多個凹槽可用于接收末端執(zhí)行器的遠(yuǎn)端。

40、一個或更多個凹槽可用于接收末端執(zhí)行器的支撐部的至少一部分，支撐部被配置為支撐晶片狀物件。一個或更多個凹槽可用于接收末端執(zhí)行器的支撐部，支撐部被配置為支撐晶片狀物件。

41、一個或更多個凹槽可適于或配置為接收末端執(zhí)行器的支撐部的至少一部分，支撐部被配置為支撐晶片狀物件。一個或更多個凹槽可適于或配置為接收末端執(zhí)行器的支撐部，支撐部被配置為支撐晶片狀物件。

42、末端執(zhí)行器的至少一部分可以是或包括末端執(zhí)行器的遠(yuǎn)端。

43、一個或更多個凹槽可被配置為接收末端執(zhí)行器的至少一部分的整個厚度，例如末端執(zhí)行器的遠(yuǎn)端的整個厚度。這可通過一個或更多個凹槽的深度與末端執(zhí)行器的該部分的厚度相同或大于該厚度來實現(xiàn)。

44、一個或更多個凹槽可用于接收末端執(zhí)行器的一個或更多個叉(fork)或指(finger)或刺(prong)或刀片(blade)。

45、一個或更多個凹槽可用于接收末端執(zhí)行器的分叉端。

46、末端執(zhí)行器的至少一部分可通過末端執(zhí)行器垂直于支撐表面的移動插入一個或更多個凹槽中。

47、此外，或作為替代方案，末端執(zhí)行器的至少一部分可通過末端執(zhí)行器平行于支撐表面移動，例如通過末端執(zhí)行器相對于支撐表面或支撐件橫向或側(cè)向移動，插入一個或更多個凹槽中。

48、一個或更多個凹槽可適于或配置為在通過設(shè)備支撐或運(yùn)送晶片狀物件時接收末端執(zhí)行器的至少一部分。

49、一個或更多個凹槽可適于或配置為使末端執(zhí)行器的至少一部分在通過設(shè)備支撐或運(yùn)送晶片狀物件時橫向插入一個或更多個凹槽。

50、一個或更多個凹槽可適于或配置為可使末端執(zhí)行器的至少一部分在通過設(shè)備支撐或運(yùn)送晶片狀物件時從一個或更多個凹槽中橫向抽出。

51、設(shè)備可進(jìn)一步包括多個限制元件，其被配置為限制通過設(shè)備所運(yùn)送的晶片狀物件相對于支撐表面的橫向移動。

52、支撐件可包括多個限制元件。

53、限制元件可包括臂，例如導(dǎo)向臂(guidingarm)、銷釘(pin)、突起(protrusion)、部件(member)或零件(part)。

54、限制元件可位于各自臂的末端，這些臂可沿支撐件的徑向延伸。這些臂可以是線性可延伸臂。

55、限制元件可設(shè)置在支撐表面的周邊或圓周或外緣的周圍或外部。

56、限制元件可伸出設(shè)備的支撐表面之外。

57、限制元件相對于支撐表面的位置為可調(diào)整的。例如，限制元件的位置可相對于支撐表面徑向調(diào)整。

58、多個限制元件可配置為在晶片狀物件相對于支撐表面橫向位移時，與由設(shè)備所運(yùn)送的晶片狀物件的圓周邊緣接觸。

59、多個限制元件可形成圓周對準(zhǔn)表面、對準(zhǔn)線或?qū)?zhǔn)點，其位置可調(diào)整，例如徑向位置可調(diào)整。

60、例如，可具有三個或更多的限制元件。

61、一個或更多個氣體通道可配置為(從一個或更多個出口)供應(yīng)氣體，以根據(jù)伯努利原理或效應(yīng)支撐晶片狀物件。

62、一個或更多個氣體通道可配置為(從一個或更多個出口)供應(yīng)氣體，以按非接觸方式支撐晶片狀物件。

63、一個或更多個氣體通道可配置為(從一個或多個出口)供應(yīng)氣體，從而在設(shè)備的支撐表面以及晶片狀物件之間形成氣墊。

64、一個或更多個氣體通道可配置為(從一個或更多個出口)供應(yīng)氣體，從而至少在支撐表面和晶片狀物件之間的部分區(qū)域形成低壓(或較低的壓力或減小的壓力)。例如，低壓(或減小的壓力)可至少在支撐表面的中心區(qū)域形成。因此，晶片狀物件會因低壓而被吸向支撐表面。

65、一個或更多個氣體通道可配置為(從一個或更多個出口)供應(yīng)氣體，從而將晶片狀物件支撐在氣墊上，并與支撐表面保持一定間距，例如在支撐表面下方。

66、設(shè)備可包括在支撐件中的多個氣體通道，每一氣體通道在支撐表面具有各自的出口。

67、多個出口可在支撐表面上以環(huán)形對稱或基本上環(huán)形對稱的方式布置。

68、多個出口中的每一個可在支撐表面上以一個或更多個弧形或圓的一部分或區(qū)段排列。

69、一個或更多個氣體通道可各自相對于支撐表面向外形成角度或傾斜。

70、一個或更多個氣體通道在朝向支撐表面延伸時可各自相對于支撐表面向外形成角度或傾斜。

71、一個或更多個氣體通道可各自向外形成角度或傾斜，遠(yuǎn)離支撐表面的中心。

72、一個或更多個氣體通道在朝向支撐表面延伸時可各自向外形成角度或傾斜，遠(yuǎn)離支撐表面的中心。

73、一個或更多個氣體通道可各自相對于支撐表面徑向向外形成角度或傾斜。

74、一個或更多個氣體通道可各自徑向向外形成角度或傾斜，遠(yuǎn)離支撐表面的中心。

75、一個或更多個氣體通道可各自形成角度或傾斜，以便氣體在相對于支撐表面的向外方向(即遠(yuǎn)離支撐表面的中心)以與支撐表面成一定角度的方式從一個或更多個出口排出。

76、與支撐表面的夾角可大于0°且小于90°。

77、角度可為銳角。

78、一個或更多個氣體通道可分別與支撐表面成大于0°且小于90°的角度。

79、一個或更多個凹槽可各自為線性的或基本上線性的。

80、一個或更多個凹槽可各自在支撐表面的平面內(nèi)線性或基本上線性延伸，或平行于支撐表面的平面延伸。

81、設(shè)備可包括兩個或更多個凹槽。

82、一個或更多個凹槽中的每一個可延伸到支撐表面的邊緣，例如使得末端執(zhí)行器可從支撐表面或支撐件的邊緣橫向插入一個或更多個凹槽中，和/或使得末端執(zhí)行器可從支撐表面或支撐件的邊緣橫向從一個或更多個凹槽中抽出。

83、因此，末端執(zhí)行器可相對于設(shè)備或設(shè)備的支撐表面橫向移動(即與支撐表面平行移動)，以便末端執(zhí)行器的至少一部分(例如末端執(zhí)行器的遠(yuǎn)端)被接收到一個或更多個凹槽中，和/或以便末端執(zhí)行器從一個或更多個凹槽中抽出。

84、如上所述，一個或更多個凹槽可適于或配置為在晶片狀物件被設(shè)備所支撐或運(yùn)送時接收末端執(zhí)行器的至少一部分。因此，當(dāng)晶片狀物件被設(shè)備支撐或運(yùn)送時，末端執(zhí)行器可插入設(shè)備和晶片狀物件之間。

85、設(shè)備可包括在一個或更多個凹槽中的一個或更多個開口或孔洞或切口。

86、設(shè)備可包括在支撐表面的一個或更多個凹槽中的一個或更多個開口或孔洞或切口。

87、一個或更多個開口或孔洞或切口可配置為允許進(jìn)入一個或更多個凹槽的氣體經(jīng)由一個或更多個開口或孔洞或切口排出一個或更多個凹槽。這可避免一個或更多個凹槽中的壓力增加。

88、一個或更多個開口或孔洞或切口可配置為允許氣體經(jīng)由支撐表面排出一個或更多個凹槽。

89、該一個或更多個開口或孔洞或切口大于一個或更多個氣體通道的一個或更多個出口。

90、一個或更多個開口或孔洞或切口可從支撐件的一側(cè)延伸到支撐件的相對側(cè)。

91、設(shè)備可包括在支撐件中的氣體分配室，其中一個或更多個氣體通道中的每一個與氣體分配室連接。

92、設(shè)備可包括與氣體分配室連接的氣體供應(yīng)管道，其用于向氣體分配室供應(yīng)氣體。

93、當(dāng)設(shè)備用于運(yùn)送晶片狀物件時，支撐表面可位于設(shè)備的底側(cè)。

94、當(dāng)設(shè)備用于運(yùn)送晶片狀物件時，支撐表面可為設(shè)備的底表面或下表面。

95、例如，設(shè)備可用于運(yùn)送直徑為300mm的晶片狀物件。

96、設(shè)備可配置為從晶片狀物件的上方支撐晶片狀物件。

97、此外，或作為替代方案，設(shè)備可配置為從晶片狀物件的下方支撐晶片狀物件。

98、設(shè)備可進(jìn)一步包括用于移動支撐件1的傳輸設(shè)備或傳輸機(jī)構(gòu)或操縱器。例如，設(shè)備可包括用于移動支撐件的機(jī)械臂或其它致動器。

99、設(shè)備可包括用于翻轉(zhuǎn)支撐件的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)或翻轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)。翻轉(zhuǎn)支撐件指的是將支撐件上下翻轉(zhuǎn)，或?qū)⒅渭D(zhuǎn)過來，例如，使之前朝上的支撐件表面朝下。

100、旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)或翻轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)可替代地稱為旋轉(zhuǎn)致動器或翻轉(zhuǎn)致動器或旋轉(zhuǎn)模塊或翻轉(zhuǎn)模塊。

101、這樣可有助于將晶片狀物件從末端執(zhí)行器上定位在支撐件上，使晶片狀物件的第一主面朝向遠(yuǎn)離支撐件的方向，或晶片狀物件的第二主面朝向遠(yuǎn)離支撐件的方向。

102、替代地，或附加地，末端執(zhí)行器可旋轉(zhuǎn)或翻轉(zhuǎn)，以便翻轉(zhuǎn)末端執(zhí)行器。

103、這可有助于將晶片狀物件從末端執(zhí)行器上定位在支撐件上，使晶片狀物件的第一主面朝向遠(yuǎn)離支撐件的方向，或晶片狀物件的第二主面朝向遠(yuǎn)離支撐件的方向。

104、設(shè)備可包括兩個支撐件，兩個支撐件的支撐表面朝向相反或基本上相反的方向。例如，兩個支撐件可布置在一個單元中，其中一個支撐件位于另一個支撐件的上方，且支撐件的支撐表面朝向相反的方向。

105、設(shè)備可包括旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)、致動器或模塊，或用于翻轉(zhuǎn)單元的翻轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)、致動器或模塊。

106、可使用從上方支撐晶片狀物件的末端執(zhí)行器將晶片狀物件定位在支撐件中的上部支撐件上，晶片狀物件位于末端執(zhí)行器和支撐件中的上部支撐件之間。

107、替代地，也可使用從上方支撐晶片狀物件的末端執(zhí)行器將晶片狀物件定位在支撐件中的下部支撐件上，末端執(zhí)行器位于晶片狀物件和支撐件中的下部支撐件之間。

108、這樣可有助于將晶片狀物件從末端執(zhí)行器上定位到支撐件上，使晶片狀物件的第一主面朝向遠(yuǎn)離支撐件的方向，或晶片狀物件的第二主面朝向遠(yuǎn)離支撐件的方向。

109、根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種在用于運(yùn)送晶片狀物件的設(shè)備中使用的平板，其包括：支撐表面；在平板中的一個或更多個氣體通道，在支撐表面上具有一個或更多個出口；以及在支撐表面上的一個或更多個凹槽，其用于接收用于支撐晶片狀物件的末端執(zhí)行器的至少一部分。

110、本發(fā)明的第二方面可具有上述本發(fā)明第一方面的任何特征，除非不兼容。

111、本發(fā)明第二方面的平板可具有本發(fā)明第一方面的支撐件的任何特征，除非不兼容。

112、本發(fā)明的第二方面的支撐表面可具有本發(fā)明第一方面的支撐表面的任何特征，除非不兼容。

113、本發(fā)明第二方面的一個或更多個氣體通道可具有本發(fā)明第一方面的一個或更多個氣體通道的任何特征，除非不兼容。

114、本發(fā)明第二方面的一個或更多個出口可具有本發(fā)明第一方面的一個或更多個出口的任何特征，除非不兼容。

115、本發(fā)明第二方面的一個或更多個凹槽可具有本發(fā)明第一方面的一個或更多個凹槽的任何特征，除非不兼容。

116、本發(fā)明第二方面的平板可對應(yīng)于或使用作為本發(fā)明第一方面的支撐件或支撐件的一部分。

117、平板可為伯努利平板(plate)，或伯努利夾持平板(grip?plate)，或伯努利夾持器(gripper)，或伯努利夾持器(grip)。

118、根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供了一種在用于運(yùn)送晶片狀物件的設(shè)備中使用的支撐件，其包括：支撐表面；在支撐件中的一個或更多個氣體通道，支撐件表面上具有一個或更多個出口；以及在支撐表面上的一個或更多個凹槽，其用于接收用于支撐晶片狀物件的末端執(zhí)行器的至少一部分。

119、本發(fā)明第三方面的支撐件可具有本發(fā)明第一方面的支撐件的任何特征，除非不兼容。

120、根據(jù)本發(fā)明的第四方面，提供了一種用于運(yùn)送晶片狀物件的設(shè)備，設(shè)備包括根據(jù)本發(fā)明第二方面的平板或根據(jù)本發(fā)明第三方面的支撐件。

121、本發(fā)明第四方面可具有本發(fā)明第一、第二或第三方面的任何特征，除非不兼容。

122、根據(jù)本發(fā)明的第五方面，提供了一種裝置，該裝置包括：根據(jù)本發(fā)明第一或第四方面的設(shè)備；以及具有末端執(zhí)行器的機(jī)械臂；其中，末端執(zhí)行器被配置為至少部分地可插入設(shè)備的支撐表面中的一個或更多個凹槽中。

123、裝置可進(jìn)一步包括晶片處理裝置或晶片處理設(shè)備。

124、裝置可包括旋轉(zhuǎn)蝕刻和/或旋轉(zhuǎn)清洗裝置。

125、末端執(zhí)行器可為刀片狀或平板狀。

126、末端執(zhí)行器可具有一個或更多個叉或指或刺或刀片，例如兩個叉或指或刺或刀片。

127、末端執(zhí)行器可具有分叉端。

128、末端執(zhí)行器可具有一個平坦面(planar)或平面(flat)或基本上平坦面或平面的支撐表面，其用于支撐晶片狀物件。

129、末端執(zhí)行器可具有支撐部，支撐部被配置為或適于支撐晶片狀物件。

130、末端執(zhí)行器可為伯努利型末端執(zhí)行器或伯努利末端執(zhí)行器。

131、末端執(zhí)行器可配置為根據(jù)伯努利原理或效應(yīng)以按非接觸方式支撐晶片狀物件。

132、末端執(zhí)行器可包括具有一個或更多個氣體出口的支撐表面。

133、一個或更多個氣體出口可配置為供應(yīng)氣體，以便根據(jù)伯努利原理或效應(yīng)以按非接觸方式支撐晶片狀物件。

134、一個或更多個氣體出口可配置為相對于支撐表面朝外方向并與支撐表面成一定角度從支撐表面輸出氣體。角度可大于0°且小于90°。

135、一個或更多個氣體出口可被配置為在末端執(zhí)行器的支撐表面和晶片狀物件之間形成氣墊，從而在支撐表面和晶片狀物件之間的至少部分區(qū)域形成低壓(或較低的壓力或減小的壓力)。這代表晶片狀物件通過低壓被吸向末端執(zhí)行器的支撐表面，使得晶片狀物件被末端執(zhí)行器保持，但氣墊避免了晶片狀物件與末端執(zhí)行器的支撐表面接觸。因此，晶片狀物件被支撐在氣墊上，并與末端執(zhí)行器的支撐表面保持一定距離。

136、末端執(zhí)行器可配置為位于晶片狀物件的下方，并從下方支撐晶片狀物件。

137、此外，或作為替代方案，末端執(zhí)行器可配置為位于晶片狀物件的上方，并從上方支撐晶片狀物件。

138、末端執(zhí)行器可配置為插入晶片盒中堆疊存放的不同晶片之間。

139、末端執(zhí)行器可配置為在晶片狀物被設(shè)備支撐或運(yùn)送時至少部分接收到一個或更多個凹槽中。

140、末端執(zhí)行器可配置為橫向插入一個或更多個凹槽。

141、本發(fā)明包括所述方面以及優(yōu)選特征的組合，除非這種組合明顯不允許或明確避免。

142、裝置可進(jìn)一步包括用于支撐晶片盒的支撐件。

143、機(jī)械臂可配置為使用末端執(zhí)行器將晶片從晶片盒傳送到設(shè)備。

144、設(shè)備可配置為將已由機(jī)械臂傳送至設(shè)備的晶片傳送至晶片處理裝置進(jìn)行處理。

145、將對晶片狀物件的支撐從末端執(zhí)行器轉(zhuǎn)移到支撐件可包括停止來自末端執(zhí)行器的一個或更多個開口的氣流，以及啟動來自支撐件的一個或更多個開口的氣流。

146、氣體可以是氮氣。