本發(fā)明的示例性的實(shí)施方式涉及一種基板支撐器及等離子體處理裝置。

背景技術(shù)：

1、等離子體處理裝置在對基板的等離子體處理中使用。下述專利文獻(xiàn)1中公開了一種等離子體處理裝置。專利文獻(xiàn)1中記載的等離子體處理裝置具備腔室及基板支撐器?；逯纹骶哂猩媳砻?，所述上表面包含可在其上方載置基板的支撐面?；逯纹魈峁┮环N貫穿孔，該貫穿孔構(gòu)成為向載置于支撐面上的基板與基板支撐器的上表面之間的間隙供給傳熱氣體。

2、以往技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1：日本特開2019-220555號公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的技術(shù)課題

2、本發(fā)明提供一種抑制基板支撐器中的異常放電的技術(shù)。

3、用于解決技術(shù)課題的手段

4、在一個示例性的實(shí)施方式中，基板支撐器具備支撐體、基臺及陶瓷部件。支撐體構(gòu)成為用于在其上方支撐物體。物體包含基板。支撐體具有電介質(zhì)部及電極。電介質(zhì)部包含上表面及該上表面相反側(cè)的下表面。上表面包含面向物體的支撐面。支撐體提供從電介質(zhì)部的上表面貫穿至電介質(zhì)部的下表面的第1貫穿孔?；_提供與第1貫穿孔連通的第2貫穿孔?；_構(gòu)成為用于在其上方支撐支撐體。陶瓷部件具有能夠使傳熱氣體透過的透氣性。陶瓷部件填充在第1貫穿孔的上端。陶瓷部件在第1貫穿孔的中心軸線延伸的方向上被定位成其下端與電極之間的距離比其上端與電極之間的距離小。

5、發(fā)明效果

6、根據(jù)一個示例性的實(shí)施方式，抑制了基板支撐器中的異常放電。

技術(shù)特征：

1.一種基板支撐器，其特征在于，具備：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板支撐器，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板支撐器，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板支撐器，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板支撐器，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板支撐器，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板支撐器，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板支撐器，其中，還具備：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基板支撐器，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板支撐器，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板支撐器，其中，

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板支撐器，其中，

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板支撐器，其中，

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的基板支撐器，其中，

15.一種等離子體處理裝置，其特征在于，具備：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開的基板支撐器具備支撐體、基臺及陶瓷部件。支撐體構(gòu)成為用于在其上方支撐物體。物體包含基板。支撐體具有電介質(zhì)部及電極。支撐體提供從電介質(zhì)部的上表面貫穿至電介質(zhì)部的下表面的第1貫穿孔?；_提供與第1貫穿孔連通的第2貫穿孔。陶瓷部件具有能夠使傳熱氣體透過的透氣性。陶瓷部件填充在第1貫穿孔的上端。陶瓷部件被定位成在第1貫穿孔的中心軸線延伸的方向上，其下端與電極之間的距離比其上端與電極之間的距離小。

技術(shù)研發(fā)人員：山口伸,佐藤大樹
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東京毅力科創(chuàng)株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/29