背景技術(shù)：
1、多層電容器通常被構(gòu)造為具有堆疊布置的多個(gè)介電層和多個(gè)內(nèi)部電極層。在制造期間，堆疊的介電層和內(nèi)部電極層被壓制和燒結(jié)，以獲得大致一體式的電容器主體。為了改進(jìn)這些電容器的性能，已經(jīng)對各介電層和各內(nèi)部電極層采用了各種構(gòu)造和設(shè)計(jì)。
2、然而，隨著電子行業(yè)發(fā)生快速變化而需要新的性能標(biāo)準(zhǔn)，通常對這些構(gòu)造進(jìn)行操縱。具體而言，各種應(yīng)用設(shè)計(jì)考慮使得需要重新定義高速環(huán)境下的電容器參數(shù)及其性能，尤其是在集成電路速度更快、密度更高的情況下。例如，更大的電流、密度更高的電路板和不斷上升的成本都集中在對更好和更高效的電容器的需求上。另外，各種電子部件的設(shè)計(jì)已由朝向小型化以及增加功能性的總體行業(yè)趨勢所驅(qū)動(dòng)。
3、在這方面，存在對提供一種具有改進(jìn)的操作特性的電容器的需求。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，公開了一種多層電容器。該多層電容器具有第一端和第二端，第二端與第一端在縱向方向上分隔開，縱向方向垂直于橫向方向，橫向方向和縱向方向均垂直于z方向。該多層電容器包括主體，該主體具有頂表面和與頂表面沿z方向相對的底表面。該主體包含交替的多個(gè)介電層和多個(gè)電極層，該多個(gè)電極層包括多個(gè)第一電極層和多個(gè)第二電極層。每個(gè)電極層包括第一電極，該第一電極具有基底部分、連接部分和中央部分；該連接部分的第一連接邊緣從基底部分的第一前邊緣延伸到中央部分的第一邊緣，并且該連接部分的第二連接邊緣從基底部分的第二前邊緣延伸到中央部分的第二邊緣。該多層電容器還包括多個(gè)外部端子，該多個(gè)外部端子包括第一外部端子和第二外部端子，該第一外部端子設(shè)置在頂表面或底表面中的至少一者上，該第二外部端子設(shè)置在頂表面或底表面中的至少一者上。第一外部端子沿著該多個(gè)第一電極層中的該第一電極的第一前邊緣或第二前邊緣中的至少一者電連接到該多個(gè)第一電極層。第二外部端子沿著該多個(gè)第二電極層中的該第一電極的第一前邊緣或第二前邊緣中的至少一者電連接到該多個(gè)第二電極層。該多個(gè)電極層中的該第一電極的第一連接邊緣或第二連接邊緣中的至少一者的至少一部分與該第一電極的中央部分的相應(yīng)第一邊緣或第二邊緣不垂直。
2、以下更詳細(xì)地闡述了本發(fā)明的其它特征和方面。
1.一種多層電容器，所述多層電容器具有第一端和第二端，所述第二端與所述第一端在縱向方向上分隔開，所述縱向方向垂直于橫向方向，所述橫向方向和所述縱向方向均垂直于z方向，所述多層電容器包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電容器，其中，所述連接部分的所述第一連接邊緣與所述中央部分的所述第一邊緣形成大于90°且小于180°的第一角度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多層電容器，其中，所述第一角度是100°至160°。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電容器，其中，所述連接部分的所述第一連接邊緣是直線型邊緣。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電容器，其中，所述連接部分的所述第一連接邊緣是彎曲邊緣。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電容器，其中，所述連接部分的所述第二連接邊緣與所述中央部分的所述第二邊緣形成大于90°且小于180°的第二角度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多層電容器，其中，所述第二角度是100°至160°。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電容器，其中，所述連接部分的所述第二連接邊緣是直線型邊緣。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電容器，其中，所述連接部分的所述第二連接邊緣是彎曲邊緣。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電容器，其中，所述第一電極的所述基底部分具有在所述z方向上延伸的豎向邊緣和在所述縱向方向上延伸的長度，其中，所述第一外部端子具有在所述橫向方向上延伸的第一側(cè)向邊緣，并且其中，所述第一外部端子的所述第一側(cè)向邊緣基于所述基底部分的長度相對于所述基底部分的所述豎向邊緣基于所述基底部分的長度在5％內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電容器，其中，所述基底部分包括第一豎向邊緣，并且其中，所述基底部分的所述第一豎向邊緣與所述連接部分的所述第一連接邊緣形成大于90°且小于180°的第二角度。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的多層電容器，其中，所述第二角度是100°至160°。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電容器，其中，所述基底部分包括第二豎向邊緣，并且其中，所述基底部分的所述第一豎向邊緣與所述連接部分的所述第二連接邊緣形成大于90°且小于180°的第二角度。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的多層電容器，其中，所述第二角度是100°至160°。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電容器，其中，所述主體在所述縱向方向上在所述多層電容器的所述第一端與所述第二端之間具有主體長度，并且其中，所述第一外部端子具有第一側(cè)向邊緣，所述第二外部端子具有第二側(cè)向邊緣，其中，所述第二側(cè)向邊緣在所述縱向方向上與所述第一側(cè)向邊緣偏移外部端子間隙距離，其中，所述主體長度與所述外部端子間隙距離的比值為0.2至0.8。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電容器，其中，所述多層電容器在所述橫向方向上關(guān)于縱向中央線對稱，所述縱向中央線在所述縱向方向上延伸。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電容器，其中，所述多層電容器在所述z方向上關(guān)于橫向中央線對稱，所述橫向中央線在所述橫向方向上延伸。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電容器，其中，所述多層電容器被配置用于安裝到安裝表面，使得所述多個(gè)電極層與所述安裝表面垂直。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電容器，其中，每個(gè)電極層還包括第二電極，所述第二電極與所述第一電極共面。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的多層電容器，其中，在所述縱向方向上在所述第一電極的所述中央部分與所述第二電極的基底部分之間形成有中央端間隙距離。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的多層電容器，其中，所述中央端間隙距離是所述電容器的所述主體的長度的2％至40％。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的多層電容器，其中，所述中央端間隙距離是所述第一電極的所述中央部分的長度的5％至40％。
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的多層電容器，其中，所述第二電極延伸所述電容器的所述主體的長度的5％至50％。
24.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電容器，其中，所述第一電極的所述中央部分延伸所述電容器的所述主體的長度的40％至小于100％。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的多層電容器，其中，所述中央部分延伸所述電容器的所述主體的長度的50％至小于100％。
26.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電容器，其中，所述第一電極包括銅。
27.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電容器，其中，每個(gè)電極層還包括第二電極，并且其中，所述第一電極和所述第二電極包括銅。
28.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電容器，其中，所述多個(gè)介電層包括npo材料。
29.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電容器，其中，所述多個(gè)介電層包括鈦酸鹽。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的多層電容器，其中，所述多個(gè)介電層還包括氧化物。
31.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電容器，其中，所述第一連接邊緣是圓角，且所述第二連接邊緣是圓角。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的多層電容器，其中，至少一個(gè)電極層還包括第二電極，所述第二電極與所述第一電極共面。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的多層電容器，其中，所述第二電極具有至少一個(gè)圓角。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的多層電容器，其中，所述第二電極具有大致矩形構(gòu)造。
35.根據(jù)權(quán)利要求31所述的多層電容器，其中，所述第一電極的所述中央部分延伸所述電容器的所述主體的長度的40％至小于100％。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的多層電容器，其中，所述中央部分延伸所述電容器的所述主體的長度的50％至小于100％。
37.根據(jù)權(quán)利要求32所述的多層電容器，其中，在所述第一電極與所述第二電極之間存在間隙。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的多層電容器，其中，所述間隙為所述電容器的所述主體的長度的2％至40％。
39.根據(jù)權(quán)利要求37所述的多層電容器，其中，所述間隙為所述第一電極的主體的長度的5％至40％。
40.根據(jù)權(quán)利要求32所述的多層電容器，其中，所述第二電極延伸所述電容器的所述主體的長度的5％至50％。
41.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電容器，其中，所述多個(gè)外部端子包括以線性方式設(shè)置的兩個(gè)以上的外部端子。
42.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電容器，其中，所述多個(gè)介電層和所述多個(gè)電極層包括第一組層和第二組層，其中，所述第一組層包括所述多個(gè)介電層的與所述多個(gè)電極層的第一部分交替堆疊的第一部分，并且所述第二組層包括所述多個(gè)介電層的與所述多個(gè)電極層的第二部分交替堆疊的第二部分。
43.根據(jù)權(quán)利要求42所述的多層電容器，其中，在所述第一組層與所述第二組層之間限定了間隔距離。
44.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中，所述電容器包括至少三組交替的介電層和電極層。
45.一種電路板，所述電路板包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，所述電容器定位在所述電路板上。
46.根據(jù)權(quán)利要求45所述的電路板，其中，所述板還包括集成電路封裝，并且其中，所述電容器在豎直方向上定位在所述電路板與所述集成電路封裝之間，使得所述電路板、所述電容器和所述集成電路封裝以堆疊布置呈現(xiàn)。
47.根據(jù)權(quán)利要求46所述的電路板，其中，所述電容器直接連接到所述電路板和所述集成電路封裝。
48.一種集成電路封裝，所述集成電路封裝包含根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器。