本公開涉及顯示，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制作方法及顯示器。

背景技術(shù)：

1、有機自發(fā)光顯示裝置，例如有機發(fā)光二極管(oled)顯示器，具有所需的特性，如自動發(fā)光、寬視角、快速響應(yīng)、小的厚度、高對比度等，因此，作為下一代平板顯示裝置的有機發(fā)光二極管顯示器已經(jīng)普遍運用在我們的顯示手機、平板甚至電腦顯示面板上。

2、目前oled主流背板技術(shù)為ltps(低溫多晶硅)，ltpo(低溫多晶硅氧化物)以及oxide(氧化物)tft(薄膜晶體管)(oxide?tft(oxide?thin?film?transistor)，其中l(wèi)tps&ltpo受限于成本、良率等問題，主要應(yīng)用在高分辨率小尺寸面板中，如手機、平板。oxidetft性能出色，不僅具備高遷移率(＞8cm2/(v·s))、低漏電流(＜10-12a)、低亞閾擺幅(＜0.3v/dec)等優(yōu)良硬參數(shù)，還具備透射率高、制備工藝溫度低、制造過程比非晶硅簡單、均勻性好及化學(xué)穩(wěn)定性高等特性，故oxide?tft可用于中大尺寸的oled。oxide?tft的結(jié)構(gòu)一般分為bce(back-channel-etched，背溝道蝕刻型結(jié)構(gòu))、esl(etch-stop-layer,刻蝕阻擋型結(jié)構(gòu))和top?gate(頂柵結(jié)構(gòu))，其中bce結(jié)構(gòu)具有低成本，以及遷移率、穩(wěn)定性等方面達到或超過esl結(jié)構(gòu)性能，同時還可以減少背光遮擋進而降低功耗，故成為oxide產(chǎn)品背板主流tft結(jié)構(gòu)。

3、未來產(chǎn)品高分辨率及高刷新頻率趨勢愈加明顯，要求電容電阻延時(rc?delay)要更好，因而cu(銅)布線(cu布線工藝是半導(dǎo)體制造中的重要環(huán)節(jié)，主要用于連接晶圓上的各個晶體管等元器件，實現(xiàn)電路的功能)工藝成為必須，加之追求窄邊框，產(chǎn)品的hole?size(連接孔的尺寸)越來越小，而在目前pht設(shè)備(光刻設(shè)備)及材料的情況下，pr?taper(光阻的角度)隨著hole?size變小而逐漸變大，而pr?taper越大，干法蝕刻對驅(qū)動電極絕緣層在連接孔位置的taper(錐度)控制越難，即導(dǎo)致干法蝕刻后gi?taper(驅(qū)動電極絕緣層在連接孔位置的錐度)控制難度增加，后續(xù)源漏電極層及第一絕緣層在驅(qū)動電極絕緣層上的連接孔處覆蓋性不佳(高gi?taper及siox(硅的氧化物)覆蓋性差導(dǎo)致)，后續(xù)制程的pfa?outgas(有機膠的脫氣現(xiàn)象)及水汽進入而導(dǎo)致源漏電極層表面的cuo還原，上述還原順延至器件區(qū)可導(dǎo)致晶體管的電性失效。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、為克服相關(guān)技術(shù)中存在的問題，本公開提供一種薄膜晶體管及其制作方法及顯示器。

2、根據(jù)本公開實施例的第一方面，提供一種薄膜晶體管的制作方法，所述薄膜晶體管包括依次布置的驅(qū)動電極層、驅(qū)動電極絕緣層、源漏電極層、第一絕緣層以及第二絕緣層，所述驅(qū)動電極絕緣層包括連接孔，所述源漏電極層與所述驅(qū)動電極層通過所述連接孔連接，所述制作方法包括：

3、在所述第一絕緣層制作完成后，在所述第一絕緣層上制作有機平坦層和公共電壓層，并使得所述有機平坦層在所述驅(qū)動電極絕緣層的投影位于所述連接孔的外部，且使得所述公共電壓層在所述驅(qū)動電極絕緣層的投影覆蓋所述連接孔，以確保所述公共電壓層覆蓋所述第一絕緣層位于所述連接孔所在位置的結(jié)構(gòu)；

4、在所述有機平坦層和所述公共電壓層制作完成后，制作所述第二絕緣層。

5、在一個可選的實施方式中，所述制作方法包括：

6、在制作所述公共電壓層時，保留所述公共電壓層位于所述連接孔上方的部分，以使得所述公共電壓層包括相連的補強部分和凹陷部分，且使得所述公共電壓層的邊緣與所述連接孔的邊緣的距離大于或等于第一設(shè)定距離；其中，所述凹陷部分為位于所述連接孔所在區(qū)域且朝向所述連接孔凹陷的部分，所述補強部分位于所述連接孔所在區(qū)域以外的部分。

7、在一個可選的實施方式中，所述制作方法包括：

8、在所述公共電壓層的掩模設(shè)計過程中，基于所述公共電壓層的套刻誤差、所述驅(qū)動電極絕緣層的套刻誤差、所述公共電壓層的關(guān)鍵尺寸公差以及所述驅(qū)動電極絕緣層的關(guān)鍵尺寸公差確定第一設(shè)定距離。

9、在一個可選的實施方式中，所述制作方法包括：

10、在制作所述有機平坦層時，將所述有機平坦層位于所述連接孔正上方的部分曝光掉，并使得所述有機平坦層的第一邊緣與所述連接孔的第二邊緣的距離大于或等于第二設(shè)定距離；其中，所述第一邊緣為所述有機平坦層的靠近所述連接孔的邊緣，所述第二邊緣為所述連接孔的靠近所述有機平坦層的邊緣。

11、在一個可選的實施方式中，所述制作方法包括：

12、在所述有機平坦層的掩模設(shè)計過程中，基于所述有機平坦層的套刻誤差、所述驅(qū)動電極絕緣層的套刻誤差、所述有機平坦層的關(guān)鍵尺寸公差以及所述驅(qū)動電極絕緣層的關(guān)鍵尺寸公差確定所述第二設(shè)定距離。

13、根據(jù)本公開實施例的第二方面，提供一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括依次布置的驅(qū)動電極層、驅(qū)動電極絕緣層、源漏電極層、第一絕緣層以及第二絕緣層，所述驅(qū)動電極絕緣層包括連接孔，所述源漏電極層與所述驅(qū)動電極層通過所述連接孔連接；

14、所述薄膜晶體管還包括公共電壓層和有機平坦層，所述公共電壓層和所述有機平坦層均位于所述第一絕緣層和所述第二絕緣層之間，所述有機平坦層在所述驅(qū)動電極絕緣層的投影位于所述連接孔的外部，且所述公共電壓層在所述驅(qū)動電極絕緣層的投影覆蓋所述連接孔，以確保所述公共電壓層覆蓋所述第一絕緣層位于所述連接孔內(nèi)的結(jié)構(gòu)。

15、在一個可選的實施方式中，所述源漏電極層、所述第一絕緣層、所述第二絕緣層以及所述公共電壓層分別在所述連接孔的位置朝向所述驅(qū)動電極層的方向凹陷，其中，所述公共電壓層包括相連的補強部分和凹陷部分，且所述公共電壓層的邊緣與所述連接孔的邊緣的距離大于或等于第一設(shè)定距離；

16、其中，所述凹陷部分為位于所述連接孔所在區(qū)域且朝向所述連接孔凹陷的部分，所述補強部分位于所述連接孔所在區(qū)域以外的部分。

17、在一個可選的實施方式中，所述有機平坦層的第一邊緣與所述連接孔的第二邊緣的距離大于或等于第二設(shè)定距離；其中，所述第一邊緣為所述有機平坦層的靠近所述連接孔的邊緣，所述第二邊緣為所述連接孔的靠近所述有機平坦層的邊緣。

18、在一個可選的實施方式中，所述有機平坦層的第一邊緣與所述公共電壓層的第三邊緣間隔設(shè)置；

19、其中，所述第一邊緣為所述有機平坦層的靠近所述連接孔的邊緣，所述第三邊緣為所述公共電壓層的靠近所述有機平坦層的邊緣。

20、根據(jù)本公開實施例的第三方面，提供一種顯示器，所述顯示器包括像素單元以及如第二方面任一項所述薄膜晶體管，所述薄膜晶體管與所述像素單元電連接，用于驅(qū)動所述像素單元發(fā)光。

21、本公開的實施例提供的技術(shù)方案可以包括以下有益效果：本公開中，薄膜晶體管包括依次布置的驅(qū)動電極層、驅(qū)動電極絕緣層、源漏電極層、第一絕緣層以及第二絕緣層，驅(qū)動電極絕緣層包括連接孔，源漏電極層與驅(qū)動電極層通過連接孔連接。在薄膜晶體管的制作過程中，在第一絕緣層制作完成后，便可在第一絕緣層上制作有機平坦層和公共電壓層，并使得有機平坦層在驅(qū)動電極絕緣層的投影位于連接孔的外部，且使得公共電壓層在驅(qū)動電極絕緣層的投影覆蓋連接孔，以確保公共電壓層覆蓋第一絕緣層位于連接孔所在位置的結(jié)構(gòu)；然后再制作第二絕緣層。通過上述方式，可以更好地隔絕第一絕緣層以及源漏電極層在連接孔位置與外界水汽的接觸，避免水汽進入而造成源漏電極層的表面被還原，可以很好地避免薄膜晶體管的失效，提高薄膜晶體管的生產(chǎn)良率。

22、應(yīng)當理解的是，以上的一般描述和后文的細節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本公開。