1.一種薄膜晶體管的制作方法，所述薄膜晶體管包括依次布置的驅(qū)動(dòng)電極層、驅(qū)動(dòng)電極絕緣層、源漏電極層、第一絕緣層以及第二絕緣層，所述驅(qū)動(dòng)電極絕緣層包括連接孔，所述源漏電極層與所述驅(qū)動(dòng)電極層通過(guò)所述連接孔連接，其特征在于，所述制作方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
6.一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括依次布置的驅(qū)動(dòng)電極層、驅(qū)動(dòng)電極絕緣層、源漏電極層、第一絕緣層以及第二絕緣層，所述驅(qū)動(dòng)電極絕緣層包括連接孔，所述源漏電極層與所述驅(qū)動(dòng)電極層通過(guò)所述連接孔連接，其特征在于，
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述薄膜晶體管，其特征在于，所述源漏電極層、所述第一絕緣層、所述第二絕緣層以及所述公共電壓層分別在所述連接孔的位置朝向所述驅(qū)動(dòng)電極層的方向凹陷，其中，所述公共電壓層包括相連的補(bǔ)強(qiáng)部分和凹陷部分，且所述公共電壓層的邊緣與所述連接孔的邊緣的距離大于或等于第一設(shè)定距離；
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述薄膜晶體管，其特征在于，所述有機(jī)平坦層的第一邊緣與所述連接孔的第二邊緣的距離大于或等于第二設(shè)定距離；其中，所述第一邊緣為所述有機(jī)平坦層的靠近所述連接孔的邊緣，所述第二邊緣為所述連接孔的靠近所述有機(jī)平坦層的邊緣。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述薄膜晶體管，其特征在于，所述有機(jī)平坦層的第一邊緣與所述公共電壓層的第三邊緣間隔設(shè)置；
10.一種顯示器，其特征在于，所述顯示器包括像素單元以及如權(quán)利要求6-9任一項(xiàng)所述薄膜晶體管，所述薄膜晶體管與所述像素單元電連接，用于驅(qū)動(dòng)所述像素單元發(fā)光。