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一種處理微細線路3μm/3μm以下垂直電解減成法濕法設備的制作方法

文檔序號:42168412發(fā)布日期:2025-06-13 16:23閱讀:5來源:國知局

本發(fā)明涉及pcb蝕刻,更具體地涉及一種處理微細線路3μm/3μm以下垂直電解減成法濕法設備。


背景技術(shù):

1、隨著全球電子產(chǎn)品市場的需求升級和快速擴張,電子產(chǎn)品的小型化、高精度和超細印刷電路板技術(shù)正進入快速發(fā)展期。為了滿足市場日益增長的需求,特別是在超精細電路技術(shù)領域,傳統(tǒng)的后向刻蝕技術(shù)正在被先進的pcb蝕刻技術(shù)所取代。

2、現(xiàn)有技術(shù)的不足之處:現(xiàn)有蝕刻的方式主要有浸泡、鼓泡、潑濺和噴淋蝕刻。浸泡和鼓泡蝕刻會造成較大的側(cè)蝕,潑濺和噴淋蝕刻產(chǎn)生的側(cè)蝕較小,雖然噴淋蝕刻側(cè)蝕最小,蝕刻效果最好,但現(xiàn)市場上二流蝕刻和真空蝕刻技術(shù),線路在蝕刻減成法線寬線距只能做到8μm/8μm以上,做不到3μm/3μm以下微細線路,主要影響因素及不足:1、噴淋壓力均勻性不能滿足100%,2、噴淋流量及覆蓋面積均衡不夠穩(wěn)定,3、噴淋產(chǎn)生的霧化顆??梢宰龅?0μm以下,其中3μm以下顆粒的占比很小,故對線寬線距不到3μm的產(chǎn)品滲透性很差。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、為了克服現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷,本發(fā)明提供了一種處理微細線路3μm/3μm以下垂直電解減成法濕法設備,以解決上述背景技術(shù)中存在的問題。

2、本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:一種處理微細線路3μm/3μm以下垂直電解減成法濕法設備,包括儲液箱,所述儲液箱上端固定連接有電解蝕刻箱,所述電解蝕刻箱內(nèi)固定連接有導向桿,所述導向桿圓周面滑動連接有導向輪,所述導向輪內(nèi)轉(zhuǎn)動連接有轉(zhuǎn)動軸,所述轉(zhuǎn)動軸右端固定連接有噴盤,所述噴盤右端固定連接有鈦陰極板,所述電解蝕刻箱上端左右兩側(cè)均固定連接有底板,所述底板上端固定連接有導向柱,所述導向柱圓周面滑動連接有滑板,所述滑板上端固定連接有連接板,所述左側(cè)的連接板與噴盤固定連接,所述右側(cè)的連接板固定連接有安裝架,所述安裝架內(nèi)設置有快拆,所述快拆內(nèi)固定連接有pcb基板;

3、優(yōu)選的,所述噴盤內(nèi)開設有第一流道和第二流道,所述第一流道輸出端固定連接有噴嘴,所述第二流道輸出端固定連接有吸管。

4、優(yōu)選的,所述鈦陰極板表面開設有多個通孔,所述通孔均與噴嘴和吸管對應。

5、優(yōu)選的,所述電解蝕刻箱前端固定連接有輸入管和回流管,所述輸入管通過波紋軟管與第一流道之間固定連接,所述回流管通過波紋軟管與第二流道之間固定連接。

6、優(yōu)選的,所述輸入管之間通過第一連接管連接,所述回流管之間通過第二連接管連接,所述第一連接管輸入端與儲液箱內(nèi)的噴淋泵之間固定連接,所述第二連接管輸入端與儲液箱內(nèi)的真空泵之間固定連接。

7、優(yōu)選的,所述底板上端固定連接有轉(zhuǎn)動架,所述轉(zhuǎn)動架內(nèi)轉(zhuǎn)動連接有驅(qū)動軸,所述驅(qū)動軸圓周面固定連接有凸輪,所述凸輪圓周面滑動連接有導向架,所述導向架與滑板之間固定連接。

8、優(yōu)選的,所述底板上端固定連接有定位架,所述定位架后端固定連接有電機,所述電機輸出端與驅(qū)動軸之間固定連接,所述驅(qū)動軸與定位架之間轉(zhuǎn)動連接。

9、優(yōu)選的,所述儲液箱上端固定連接有清洗箱,所述清洗箱內(nèi)依次設置有第一水洗槽、酸洗槽、第二水洗槽和風干槽。

10、本發(fā)明的技術(shù)效果和優(yōu)點:

11、1.本發(fā)明通過將鈦陰極板固定在噴盤右端,然后再將pcb基板通過快拆固定在安裝架上,然后通過外界的整流機將適量電流給到鈦陰極板形成電場,結(jié)合儲液箱內(nèi)得到藥水與pcb基板表面的銅產(chǎn)生電化學反應,解決了噴淋結(jié)構(gòu)反應均勻性不足的問題。

12、2.本發(fā)明通過噴盤結(jié)構(gòu)中的噴嘴噴灑和吸管吸附,保證電場離子流動及均勻性,而直流電源提供適量的電流時,會使得陽極上的金屬離子向陰極方向遷移,同時在陽極上發(fā)生氧化反應,金屬離子被氧化為金屬離子,從而實現(xiàn)了對金屬表面的刻蝕。離子反應遷移解決了霧化顆粒分子不夠小且不均勻的情況,再通過滑塊在導向柱圓周面進行上下往復滑動,帶動噴盤和鈦陰極板與安裝架和pcb基板上下往復滑動使之反應更加充分及覆蓋面更廣。



技術(shù)特征:

1.一種處理微細線路3μm/3μm以下垂直電解減成法濕法設備,包括儲液箱(1),其特征在于:所述儲液箱(1)上端固定連接有電解蝕刻箱(2),所述電解蝕刻箱(2)內(nèi)固定連接有導向桿(3),所述導向桿(3)圓周面滑動連接有導向輪(4),所述導向輪(4)內(nèi)轉(zhuǎn)動連接有轉(zhuǎn)動軸(5),所述轉(zhuǎn)動軸(5)右端固定連接有噴盤(6),所述噴盤(6)右端固定連接有鈦陰極板(7),所述電解蝕刻箱(2)上端左右兩側(cè)均固定連接有底板(8),所述底板(8)上端固定連接有導向柱(9),所述導向柱(9)圓周面滑動連接有滑板(10),所述滑板(10)上端固定連接有連接板(11),所述連接板(11)與噴盤(6)固定連接,所述連接板(11)固定連接有安裝架(12),所述安裝架(12)內(nèi)設置有快拆(13),所述快拆(13)內(nèi)固定連接有pcb基板(14)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種處理微細線路3μm/3μm以下垂直電解減成法濕法設備,其特征在于:所述噴盤(6)內(nèi)開設有第一流道(15)和第二流道(16),所述第一流道(15)輸出端固定連接有噴嘴(17),所述第二流道(16)輸出端固定連接有吸管(18)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種處理微細線路3μm/3μm以下垂直電解減成法濕法設備,其特征在于:所述鈦陰極板(7)表面開設有多個通孔(19),所述通孔(19)均與噴嘴(17)和吸管(18)對應。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種處理微細線路3μm/3μm以下垂直電解減成法濕法設備,其特征在于:所述電解蝕刻箱(2)前端固定連接有輸入管(20)和回流管(21),所述輸入管(20)通過波紋軟管(22)與第一流道(15)之間固定連接,所述回流管(21)通過波紋軟管(22)與第二流道(16)之間固定連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種處理微細線路3μm/3μm以下垂直電解減成法濕法設備,其特征在于:所述輸入管(20)之間通過第一連接管(23)連接,所述回流管(21)之間通過第二連接管(24)連接,所述第一連接管(23)輸入端與儲液箱(1)內(nèi)的噴淋泵之間固定連接,所述第二連接管(24)輸入端與儲液箱(1)內(nèi)的真空泵之間固定連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種處理微細線路3μm/3μm以下垂直電解減成法濕法設備,其特征在于:所述底板(8)上端固定連接有轉(zhuǎn)動架(25),所述轉(zhuǎn)動架(25)內(nèi)轉(zhuǎn)動連接有驅(qū)動軸(26),所述驅(qū)動軸(26)圓周面固定連接有凸輪(27),所述凸輪(27)圓周面滑動連接有導向架(28),所述導向架(28)與滑板(10)之間固定連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種處理微細線路3μm/3μm以下垂直電解減成法濕法設備,其特征在于:所述底板(8)上端固定連接有定位架(29),所述定位架(29)后端固定連接有電機(30),所述電機(30)輸出端與驅(qū)動軸(26)之間固定連接,所述驅(qū)動軸(26)與定位架(29)之間轉(zhuǎn)動連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種處理微細線路3μm/3μm以下垂直電解減成法濕法設備,其特征在于:所述儲液箱(1)上端固定連接有清洗箱(31),所述清洗箱(31)內(nèi)依次設置有第一水洗槽(311)、酸洗槽(312)、第二水洗槽(313)和風干槽(314)。


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及PCB蝕刻技術(shù)領域,且公開了一種處理微細線路3μm/3μm以下垂直電解減成法濕法設備,包括儲液箱,儲液箱上端固定連接有電解蝕刻箱,電解蝕刻箱內(nèi)固定連接有導向桿,導向桿圓周面滑動連接有導向輪,導向輪內(nèi)轉(zhuǎn)動連接有轉(zhuǎn)動軸,轉(zhuǎn)動軸右端固定連接有噴盤,噴盤右端固定連接有鈦陰極板,電解蝕刻箱上端左右兩側(cè)均固定連接有底板,底板上端固定連接有導向柱,導向柱圓周面滑動連接有滑板,滑板上端固定連接有連接板,左側(cè)的連接板與噴盤固定連接,右側(cè)的連接板固定連接有安裝架,安裝架內(nèi)設置有快拆,快拆內(nèi)固定連接有PCB基板。本發(fā)明只需要簡單操作就可以達到PCB基板進行蝕刻的效果。

技術(shù)研發(fā)人員:胡青,符永利,李哲軒
受保護的技術(shù)使用者:深圳市泰科思特精密工業(yè)有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/6/12
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