實(shí)施例涉及一種電容器和包括電容器的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（dram）裝置。
背景技術(shù)：
1、在dram裝置中，單位存儲器單元可以包括一個晶體管和一個電容器，并且電容器可以具有高電容。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、實(shí)施例可以通過提供一種電容器來實(shí)現(xiàn)，電容器包括：下電極；介電層結(jié)構(gòu)，位于下電極上，介電層結(jié)構(gòu)包括順序地堆疊的第一氧化鋯層、氧化鉿層和第二氧化鋯層；以及上電極，位于介電層結(jié)構(gòu)上，其中，氧化鉿層具有四方晶相或正交晶相。
2、實(shí)施例可以通過提供一種電容器來實(shí)現(xiàn)，電容器包括：下電極；介電層結(jié)構(gòu)，位于下電極上，介電層結(jié)構(gòu)包括順序地堆疊的第一氧化鋯層、氧化鉿層和第二氧化鋯層；以及上電極，位于介電層結(jié)構(gòu)上，其中，介電層結(jié)構(gòu)具有約20?至約60?的厚度，并且第一氧化鋯層、氧化鉿層和第二氧化鋯層均是結(jié)晶的。
3、實(shí)施例可以通過提供一種動態(tài)隨機(jī)存取存儲器裝置（dram）來實(shí)現(xiàn)，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器裝置包括：基底；單元晶體管，位于基底上，單元晶體管包括柵極結(jié)構(gòu)、第一雜質(zhì)區(qū)和第二雜質(zhì)區(qū)；位線結(jié)構(gòu)，電連接到第一雜質(zhì)區(qū)；以及電容器，位于位線結(jié)構(gòu)上，電容器電連接到第二雜質(zhì)區(qū)，其中，電容器包括：下電極；介電層結(jié)構(gòu)，位于下電極上，介電層結(jié)構(gòu)包括順序地堆疊的第一氧化鋯層、氧化鉿層和第二氧化鋯層；以及上電極，位于介電層結(jié)構(gòu)上，其中，介電層結(jié)構(gòu)具有約20?至約60?的厚度，并且其中，氧化鉿層具有四方晶相或正交晶相。
1.一種電容器，所述電容器包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中，第一層包括鋯或氧化鋯。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電容器，其中，第二層包括鉿或氧化鉿。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中，介電層結(jié)構(gòu)還包括位于第一層與界面層之間的第三層，第三層包括al、ta、nb、mo、w、ru、v、y、sc、或gd。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中，其中，介電層結(jié)構(gòu)還包括第四層，第四層包括鋯或氧化鋯。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電容器，其中，第四層是非晶的。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中，下電極和上電極中的每個包括氮化鈦（tin）、鈦（ti）、鉭（ta）、氮化鉭（tan）、釕（ru）、鎢、或氮化鎢。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中，下電極具有柱形狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中，第一層具有約5?至30?的厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中，第二層具有約5?至18?的厚度。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中，介電層結(jié)構(gòu)具有約20?至60?的厚度。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中，第一層具有正交晶相。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中，第二層具有四方晶相或正交晶相。
14.一種電容器，所述電容器包括：
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電容器，其中，第一氧化鋯層具有約5?至30?的厚度。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電容器，其中，氧化鉿層具有約5?至18?的厚度。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電容器，其中，介電層結(jié)構(gòu)還包括位于氧化鉿層上的第二氧化鋯層。
18.一種存儲器裝置，所述存儲器裝置包括；
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的存儲器裝置，其中，所述下電極具有柱形狀。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的存儲器裝置，其中，柵極結(jié)構(gòu)位于柵極溝槽中，并且包括柵極絕緣層、柵電極和蓋絕緣圖案。