本申請屬于顯示，具體涉及一種發(fā)光面板和光學美容儀。
背景技術(shù)：
1、美容儀的原理為利用發(fā)光器件發(fā)出特定波長的光線，以刺激皮膚細胞執(zhí)行某些功能，并刺激細胞代謝。然而，目前現(xiàn)有的美容儀光源所使用的燈珠的照射均一性不佳。為了提高美容儀的效果，需要使美容儀的光源照射到目標的光盡可能均勻分散。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本申請?zhí)峁┝艘环N發(fā)光面板和光學美容儀，用于提高發(fā)光面板的光學均一性。
2、本申請實施例第一方面提供了一種發(fā)光面板，包括：
3、襯底基板，以及層疊設(shè)置在所述襯底基板一側(cè)的散射層和發(fā)光層，所述散射層位于所述襯底基板的出光側(cè)；
4、其中，所述散射層包括多個散射結(jié)構(gòu)，所述多個散射結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的正投影滿足以下至少一者：至少兩個所述散射結(jié)構(gòu)的形狀不同，至少兩個所述散射結(jié)構(gòu)的尺寸不同，至少兩對相鄰的所述散射結(jié)構(gòu)之間的間距不同。
5、在一種可能的實施方式中，所述發(fā)光面板還包括：第一電極，位于所述襯底基板的出光側(cè)；
6、所述散射層包括第一散射層，所述第一散射層中的散射結(jié)構(gòu)為位于所述第一電極的至少一側(cè)表面上的微納凹凸結(jié)構(gòu)。
7、在一種可能的實施方式中，相鄰兩個所述微納凹凸結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的正投影的中心點之間的間距大于或等于3um，且小于或等于100um。
8、在一種可能的實施方式中，每個所述微納凹凸結(jié)構(gòu)相對于所在所述第一電極的表面的垂直高度大于或等于10nm，且小于或等于10um；
9、每個所述微納凹凸結(jié)構(gòu)在所述第一電極表面的正投影面積大于或等于10nm，且小于或等于5um。
10、在一種可能的實施方式中，所述發(fā)光面板還包括：封裝基板，位于所述發(fā)光層背離所述襯底基板的一側(cè)；
11、所述散射層包括第二散射層，所述第二散射層位于所述發(fā)光層與所述封裝基板之間，所述第二散射層包括第一基膜，所述第二散射層中的散射結(jié)構(gòu)為填充在所述第一基膜中的微納顆粒。
12、在一種可能的實施方式中，所述微納顆粒的粒徑大于或等于10nm,且小于或等于10um。
13、在一種可能的實施方式中，所述第二散射層由多層所述第一基膜層疊構(gòu)成，任意兩層所述第一基膜中的所述微納顆粒的形狀不同或尺寸不同。
14、在一種可能的實施方式中，所述第一基膜的厚度大于或等于1um，且小于或等于100um。
15、在一種可能的實施方式中，所述發(fā)光面板還包括：封裝基板，位于所述發(fā)光層背離所述襯底基板的一側(cè)；
16、所述散射層包括第三散射層，所述第三散射層位于所述發(fā)光層與所述封裝基板之間，所述第三散射層包括第二基膜，所述第三散射層中的散射結(jié)構(gòu)為散射透鏡。
17、在一種可能的實施方式中，所述發(fā)光面板包括多個像素點，位于不同像素點中的所述第二基膜相互分隔設(shè)置。
18、在一種可能的實施方式中，所述發(fā)光面板包括多個像素點，所述多個像素點中的所述第二基膜相互連通，由所述多個像素點共享所述第二基膜。
19、在一種可能的實施方式中，所述第二基膜由至少一個所述散射透鏡層疊組成，所述散射透鏡包括以下一種或多種：
20、平凹透鏡；
21、雙凹透鏡；
22、菲涅爾透鏡；
23、球面透鏡。
24、在一種可能的實施方式中，所述散射透鏡的高度大于或等于1um，且小于或等于50um。
25、在一種可能的實施方式中，所述發(fā)光層發(fā)出的光的波長大于或等于550nm，且小于或等于1000nm。
26、本申請實施例第二方面還提供了一種光學美容儀，包括本申請實施例第一方面所述的發(fā)光面板。
27、本申請的有益效果在于：本申請所提出的發(fā)光面板，通過設(shè)置散射層，并對散射層中的散射結(jié)構(gòu)進行改進（至少兩個散射結(jié)構(gòu)的形狀不同，至少兩個散射結(jié)構(gòu)的尺寸不同，至少兩對散射結(jié)構(gòu)之間的間距不同），從而增加散射層對光的散射能力，使發(fā)光面板所發(fā)出的光盡可能的均勻分散，即提高光學均一性。
28、上述說明僅是本申請技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本申請的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本申請的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉本申請的具體實施方式。
29、附圖說明
30、為了更清楚地說明本申請實施例或相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或相關(guān)技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本申請的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。需要說明的是，附圖中的比例僅作為示意并不代表實際比例。
31、圖1是本申請實施例中的一種發(fā)光面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
32、圖2是本申請實施例中的一種底發(fā)射模式的oled面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
33、圖3是本申請實施例中的一種頂發(fā)射模式的oled面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
34、圖4是本申請實施例中的一種第一電極表面的微納凹凸結(jié)構(gòu)的俯視圖；
35、圖5是本申請實施例中的一種第一電極表面的微納凹凸結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖；
36、圖6是本申請實施例中的一種第二散射膜內(nèi)部的微納顆粒結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖；
37、圖7是本申請實施例中的一種第二散射膜內(nèi)部的微納顆粒結(jié)構(gòu)的俯視圖；
38、圖8是本申請實施例中的一種散射透鏡的結(jié)構(gòu)側(cè)視圖；
39、圖9是本申請實施例中的一種散射透鏡的俯視圖；
40、圖10是本申請實施例中的另一種散射透鏡的俯視圖。
1.一種發(fā)光面板，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光面板，其特征在于，所述發(fā)光面板還包括：第一電極，位于所述襯底基板的出光側(cè)；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光面板，其特征在于，相鄰兩個所述微納凹凸結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的正投影的中心點之間的間距大于或等于3um，且小于或等于100um。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光面板，其特征在于，每個所述微納凹凸結(jié)構(gòu)相對于所在所述第一電極的表面的垂直高度大于或等于10nm，且小于或等于10um；
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光面板，其特征在于，所述發(fā)光面板還包括：封裝基板，位于所述發(fā)光層背離所述襯底基板的一側(cè)；
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光面板，其特征在于，所述微納顆粒的粒徑大于或等于10nm,且小于或等于10um。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光面板，其特征在于，所述第二散射層由多層所述第一基膜層疊構(gòu)成，任意兩層所述第一基膜中的所述微納顆粒的形狀不同或尺寸不同。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光面板，其特征在于，所述第一基膜的厚度大于或等于1um，且小于或等于100um。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光面板，其特征在于，所述發(fā)光面板還包括：封裝基板，位于所述發(fā)光層背離所述襯底基板的一側(cè)；
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光面板，其特征在于，所述發(fā)光面板包括多個像素點，位于不同像素點中的所述第二基膜相互分隔設(shè)置。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光面板，其特征在于，所述發(fā)光面板包括多個像素點，所述多個像素點中的所述第二基膜相互連通，由所述多個像素點共享所述第二基膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光面板，其特征在于，所述第二基膜由至少一個所述散射透鏡層疊組成，所述散射透鏡包括以下一種或多種：
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光面板，其特征在于，所述散射透鏡的高度大于或等于1um，且小于或等于50um。
14.根據(jù)權(quán)利要求1-13中任一項所述的發(fā)光面板，其特征在于，所述發(fā)光層發(fā)出的光的波長大于或等于550nm，且小于或等于1000nm。
15.一種光學美容儀，其特征在于，包括權(quán)利要求1-14中任一項所述的發(fā)光面板。