本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，特別是涉及一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的清洗方法。
背景技術(shù)：
1、在芯片的封裝制造過程中，焊墊表面與空氣中的氧氣接觸后，容易形成氧化層。焊墊氧化層會(huì)影響焊料與焊墊的結(jié)合，導(dǎo)致焊接缺陷，降低焊縫的強(qiáng)度和密封性。此外，在前序工藝中使用的皂化劑也會(huì)殘留在焊墊表面，這些殘留物如果不處理，可能會(huì)則可能影響電子元器件的正常運(yùn)行。
2、現(xiàn)有技術(shù)中，對(duì)皂化劑殘留和焊墊氧化層進(jìn)行處理的方式主要通過砂紙或鋼絲刷等工具對(duì)焊墊表面進(jìn)行打磨，去除氧化層和污染物。但這種方法操作繁瑣，費(fèi)時(shí)費(fèi)力，容易對(duì)焊墊表面造成劃痕，影響焊接質(zhì)量，或者利用超聲波的空化作用去除焊墊表面的氧化層和皂化劑殘留。雖然超聲波清洗效果較好，但設(shè)備成本較高，且對(duì)某些材料的適用性有限；或者通過等離子體中的活性離子與焊墊表面的氧化層或皂化劑殘留發(fā)生化學(xué)或物理反應(yīng)，將其轉(zhuǎn)化為可揮發(fā)物質(zhì)排出。等離子清洗對(duì)某些金屬氧化層的還原性較弱，無法完全去除氧化層。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、基于此，有必要針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的對(duì)焊墊上的皂化劑殘留和氧化層去除費(fèi)力、成本高、效率低的問題提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的清洗方法。
2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，一方面，本發(fā)明提供了一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的清洗方法，包括如下步驟：
3、提供芯片封裝結(jié)構(gòu)，所述芯片封裝結(jié)構(gòu)包括焊墊，且所述焊墊表面具有氧化物和/或皂化劑殘留；
4、于所述焊墊表面通過印刷形成助焊劑；
5、加熱所述芯片封裝結(jié)構(gòu)，以使得所述助焊劑與所述氧化物和/或所述皂化劑殘留發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。
6、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述助焊劑由溶劑、反應(yīng)劑及輔助劑混合而成，所述溶劑包括醇類有機(jī)物、酮類有機(jī)物及脂類有機(jī)物，所述反應(yīng)劑包括有機(jī)酸、有機(jī)胺，所述輔助劑包括聚乙二醇，且所述溶劑的濃度為50~60%，所述反應(yīng)劑中有機(jī)胺的濃度為15~25%，所述輔助劑的濃度為10~20%，所述反應(yīng)劑中有機(jī)酸的濃度為5~15%。
7、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述加熱所述芯片封裝結(jié)構(gòu)，以使得所述助焊劑與所述氧化物和/或所述皂化劑殘留發(fā)生化學(xué)反應(yīng)之前，還包括：
8、將所述芯片封裝結(jié)構(gòu)傳輸至加熱裝置內(nèi)；
9、以第一升溫速率，于第一預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)將所述加熱裝置內(nèi)的溫度升至第一預(yù)設(shè)溫度，以對(duì)所述焊墊表面進(jìn)行預(yù)熱。
10、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述加熱所述芯片封裝結(jié)構(gòu)，以使得所述助焊劑與所述氧化物和/或所述皂化劑殘留發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，包括：
11、以第二升溫速率，將所述加熱裝置內(nèi)的溫度于第二預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)從所述第一預(yù)設(shè)溫度升至第二預(yù)設(shè)溫度，以使所述焊墊表面的所述助焊劑與所述氧化物和/或所述皂化劑發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，所述第二升溫速率小于所述第一升溫速率。
12、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述加熱所述芯片封裝結(jié)構(gòu)，以使得所述助焊劑與所述氧化物和/或所述皂化劑殘留發(fā)生化學(xué)反應(yīng)之后，還包括：
13、對(duì)所述加熱裝置進(jìn)行降溫。
14、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述對(duì)所述加熱裝置進(jìn)行降溫，包括：
15、以第一降溫速率，將所述加熱裝置內(nèi)的溫度從所述第二預(yù)設(shè)溫度于第三預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)降至所述第一預(yù)設(shè)溫度；
16、以第二降溫速率，將所述加熱裝置內(nèi)的溫度于第四預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)從所述第一預(yù)設(shè)溫度降至第三預(yù)設(shè)溫度，所述第二降溫速率大于所述第一降溫速率。
17、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述加熱裝置包括熱風(fēng)回流爐。
18、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述加熱裝置內(nèi)的氧氣含量小于100ppm。
19、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述對(duì)所述加熱裝置進(jìn)行降溫之后，還包括：
20、對(duì)所述焊墊表面進(jìn)行清洗處理。
21、在其中一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)所述焊墊表面進(jìn)行清洗處理所采用的清洗劑包括純水，所述清洗劑的溫度為45~55℃，所述清洗劑的壓力為3~6kg/cm2。
22、上述芯片封裝結(jié)構(gòu)的清洗方法通過于焊墊表面印刷形成助焊劑，加熱芯片封裝結(jié)構(gòu)，以使助焊劑與焊墊表面的氧化層和/或皂化劑殘留發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，并在一些實(shí)施例中，通過對(duì)助焊劑的組成及其成分濃度、加熱芯片封裝結(jié)構(gòu)過程中的溫度及溫度變化速率進(jìn)行精確控制，能夠高效去除焊墊表面的氧化層和/或皂化劑殘留，減少了對(duì)焊墊基材的損傷，保護(hù)了焊墊表面，降低了焊接缺陷，提高了產(chǎn)品的良率。且在一些實(shí)施例中，通過對(duì)助焊劑發(fā)生化學(xué)反應(yīng)后的焊墊表面進(jìn)行清洗，并通過精確控制清洗溫度和壓力，進(jìn)一步確保了氧化物和/或皂化劑殘留的徹底去除。此外，在一些實(shí)施例中，本申請(qǐng)的芯片封裝結(jié)構(gòu)的清洗方法通過采用上料機(jī)、印刷機(jī)、熱風(fēng)回流爐、清洗機(jī)和下料機(jī)進(jìn)行，并于上料機(jī)、印刷機(jī)、熱風(fēng)回流爐、清洗機(jī)和下料機(jī)之間自動(dòng)傳輸，實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)化清洗流程，提高了清洗效率，且該方法適用于多種清洗工藝，具有較好的通用性和靈活性。
1.一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的清洗方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)的清洗方法，其特征在于，所述助焊劑由溶劑、反應(yīng)劑及輔助劑混合而成，所述溶劑包括醇類有機(jī)物、酮類有機(jī)物及脂類有機(jī)物，所述反應(yīng)劑包括有機(jī)酸、有機(jī)胺，所述輔助劑包括聚乙二醇，且所述溶劑的濃度為50~60%，所述反應(yīng)劑中有機(jī)胺的濃度為15~25%，所述輔助劑的濃度為10~20%，所述反應(yīng)劑中有機(jī)酸的濃度為5~15%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)的清洗方法，其特征在于，所述加熱所述芯片封裝結(jié)構(gòu)，以使得所述助焊劑與所述氧化物和/或所述皂化劑殘留發(fā)生化學(xué)反應(yīng)之前，還包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)的清洗方法，其特征在于，所述加熱所述芯片封裝結(jié)構(gòu)，以使得所述助焊劑與所述氧化物和/或所述皂化劑殘留發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)的清洗方法，其特征在于，所述加熱所述芯片封裝結(jié)構(gòu)，以使得所述助焊劑與所述氧化物和/或所述皂化劑殘留發(fā)生化學(xué)反應(yīng)之后，還包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)的清洗方法，其特征在于，所述對(duì)所述加熱裝置進(jìn)行降溫，包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)的清洗方法，其特征在于，所述加熱裝置包括熱風(fēng)回流爐。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)的清洗方法，其特征在于，所述加熱裝置內(nèi)的氧氣含量小于100ppm。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)的清洗方法，其特征在于，所述對(duì)所述加熱裝置進(jìn)行降溫之后，還包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)的清洗方法，其特征在于，對(duì)所述焊墊表面進(jìn)行清洗處理所采用的清洗劑包括純水，所述清洗劑的溫度為45~55℃，所述清洗劑的壓力為3~6kg/cm2。