本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體裝置包括處理高電壓的功率模塊。功率模塊能夠構(gòu)成為包括多個(gè)功率半導(dǎo)體元件的1個(gè)封裝。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1：日本特開2020-155501號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的課題

2、提供一種能夠容易地制造的半導(dǎo)體裝置。

3、用于解決課題的手段

4、一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置包括：基板上的第1晶體管及第2晶體管；第1端子；以及復(fù)合體，包括第2端子以及局部地覆蓋第2端子的第1絕緣體。上述第1晶體管的第1端與上述第2晶體管的第2端相互連接。上述第1端子包括：第1部分，和與上述第1晶體管的第3端連接的第1導(dǎo)電體相接；第2部分，與上述第1部分連接；以及第3部分，與上述第2部分連接。上述第2端子包括第4部分、第5部分以及第6部分。上述第4部分和與上述第2晶體管的第4端連接的第2導(dǎo)電體相接。上述第5部分與上述第4部分連接并且與上述第1端子的上述第2部分并排。上述第6部分與上述第5部分連接。上述第1絕緣體覆蓋上述第5部分。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置，具備：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置。實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置包括：基板上的第1晶體管及第2晶體管；第1端子；以及復(fù)合體，包括第2端子以及局部地覆蓋第2端子的第1絕緣體。第1晶體管的第1端與第2晶體管的第2端相互連接。第1端子包括：第1部分，和與第1晶體管的第3端連接的第1導(dǎo)電體相接；第2部分，與第1部分連接；以及第3部分，與第2部分連接。第2端子包括第4部分、第5部分以及第6部分。第4部分和與第2晶體管的第4端連接的第2導(dǎo)電體相接。第5部分與第4部分連接并且與第1端子的第2部分并排。第6部分與第5部分連接。第1絕緣體覆蓋第5部分。

技術(shù)研發(fā)人員：三宅英太郎
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會(huì)社東芝
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/29