本技術(shù)涉及電子設(shè)備，尤其涉及到一種電子模組、電子模組的制備方法及電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、存儲(chǔ)模組是電子設(shè)備中重要的組成結(jié)構(gòu)，存儲(chǔ)模組的容量則對(duì)電子設(shè)備的性能具有重要的影響，隨著電子設(shè)備的技術(shù)發(fā)展，對(duì)于存儲(chǔ)模組的容量的需求也越來(lái)越高。

2、傳統(tǒng)的存儲(chǔ)模組以?xún)?nèi)存條形態(tài)或者板載顆粒直接焊接上板方式實(shí)現(xiàn)，為了尋求更高容量密度，可以從傳統(tǒng)的2d向3d立體堆疊來(lái)實(shí)現(xiàn)容量密度的提升?，F(xiàn)有技術(shù)中，形成立體堆疊的存儲(chǔ)模組過(guò)程，都需要借助載板來(lái)實(shí)現(xiàn)。具體的，將內(nèi)存芯片搭載在載板上，再進(jìn)行堆疊。例如，上述載板可以為硅基板或者電路板。因此，現(xiàn)有技術(shù)中堆疊偶的存儲(chǔ)模組結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜，成本較高且小型化程度較低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本技術(shù)提供了一種電子模組、電子模組的制備方法及電子設(shè)備，簡(jiǎn)化了電子模組的結(jié)構(gòu)，提升了電子模組的小型化程度，且有利于降低成本。

2、第一方面，本技術(shù)提供了一種電子模組。該電子模組包括至少兩個(gè)電子器件。上述電子器件包括相背離的第一側(cè)和第二側(cè)，上述電子器件的第一側(cè)設(shè)置有引腳和第一金屬線(xiàn)，第一金屬線(xiàn)的兩端分別為第一端和第二端，第一端與引腳連接，第二端位于第一側(cè)的邊緣。從而第一金屬線(xiàn)將引腳延伸至電子器件的側(cè)邊，則從電子器件的側(cè)邊就可以連接至電子器件的引腳。電子模組的至少兩個(gè)電子器件包括層疊設(shè)置的第一電子器件和第二電子器件，第一電子器件的第一金屬線(xiàn)的第二端和第二電子器件的第一金屬線(xiàn)的第二端通過(guò)第二金屬線(xiàn)連接。從而實(shí)現(xiàn)第一電子器件和第二電子器件的電連接，使得第一電子器件和第二電子器件可以協(xié)同工作。不同的電子器件層疊過(guò)程中無(wú)需先將電子器件搭載于載板，有利于簡(jiǎn)化電子模組的結(jié)構(gòu)，提升電子模組的小型化程度，且有利于降低成本。

3、具體的技術(shù)方案中，上述第一電子器件的第一側(cè)與第二電子器件的第二側(cè)連接，例如可以使得第一電子器件的第一側(cè)的引腳與第二電子器件焊接連接。

4、一種技術(shù)方案中，上述電子器件的第二側(cè)固定連接有第一金屬層。該第一金屬層作為電子器件的散熱結(jié)構(gòu)，有利于提升電子器件的散熱能力。特別對(duì)于電子模組層疊的多個(gè)電子器件中位于電子模組中部的電子器件，第一金屬層可以降低電子器件的導(dǎo)熱路徑中的熱阻，提升電子模組的散熱能力，有利于提升電子模組的功率密度，進(jìn)一步的提升電子模組的集成度。

5、進(jìn)一步的技術(shù)方案中，上述電子模組包括側(cè)面，在電子器件的側(cè)面設(shè)置有第二金屬層。該第二金屬層也作為電子器件的散熱結(jié)構(gòu)，增大電子器件的散熱面積，以提升電子器件的散熱能力。

6、上述第二金屬層具體連接第一電子器件的第一金屬層和第二電子器件的第一金屬層。使得第一金屬層和第二金屬層形成為散熱網(wǎng)絡(luò)，電子器件產(chǎn)生的熱量可以較快的通過(guò)第一金屬層傳輸至第二金屬層，以盡快的進(jìn)行散熱，提升電子模組的散熱能力。

7、一種技術(shù)方案中，上述電子器件的第一金屬線(xiàn)的表面設(shè)置有第一阻焊層，第一阻焊層至少覆蓋第一金屬線(xiàn)。該第一阻焊層可以保護(hù)第一金屬線(xiàn)，使得第一金屬線(xiàn)不易被腐蝕，且不易出現(xiàn)短路的情況，提升電子模組的使用壽命和可靠性。

8、具體的，上述第一阻焊層還可以包括通孔，該通孔在第一側(cè)的正投影覆蓋引腳在第一側(cè)的正投影。上述引腳從第一阻焊層的通孔露出，則可以利用一個(gè)電子器件的引腳與相鄰的電子器件的表面通過(guò)焊接連接。此外，對(duì)于電子組件最低層的電子器件的引腳可以連接焊球等連接結(jié)構(gòu)，用于與其它的電子結(jié)構(gòu)進(jìn)行連接。

9、相類(lèi)似的，上述電子模組的第二金屬線(xiàn)的表面也可以設(shè)置有第二阻焊層，該第二阻焊層至少覆蓋第二金屬線(xiàn)。該第二阻焊層可以保護(hù)第二金屬線(xiàn)，使得第二金屬線(xiàn)不易被腐蝕，且不易出現(xiàn)短路的情況，提升電子模組的使用壽命和可靠性。

10、一種技術(shù)方案中，上述第一側(cè)還包括塑封層，該塑封層與引腳同層設(shè)置，第一金屬線(xiàn)位于塑封層背離第一側(cè)的一側(cè)表面。該技術(shù)方案中，塑封層可以支撐引腳，還可以作為第一金屬線(xiàn)的基面，在塑封層的表面制備第一金屬線(xiàn)，有利于提升第一金屬線(xiàn)的穩(wěn)定性，且不易出現(xiàn)短路的情況。

11、具體的技術(shù)方案中，上述電子模組為存儲(chǔ)模組，電子器件為存儲(chǔ)芯片。該技術(shù)方案中，通過(guò)層疊多個(gè)存儲(chǔ)芯片，可以提升存儲(chǔ)模組的存儲(chǔ)空間，且層疊后的電子模組的集成度較好，體積較小。因此，可以利用較小的體積，形成較大的存儲(chǔ)空間。

12、第二方面，本技術(shù)還提供了一種電子模組的制備方法，該制備方法可以用于制備上述第一方面提供的電子模組。上述制備方法具體包括：在電子元件的第一側(cè)制備第一金屬化圖形，形成電子器件。該電子元件的引腳位于電子元件的第一側(cè)，第一金屬化圖形包括第一金屬線(xiàn)，第一金屬線(xiàn)的兩端分別為第一端和第二端，第一金屬線(xiàn)的第一端與電子元件的引腳連接，第二端位于第一側(cè)的邊緣，具體可以采用蝕刻等工藝形成上述第一金屬線(xiàn)。之后，層疊電子器件中的第一電子器件和第二電子器件，具體可以采用封裝疊層技術(shù)層疊上述電子器件。之后，在第二電子器件的側(cè)面制備第二金屬化圖形；第二金屬化圖形包括第二金屬線(xiàn)，第二金屬線(xiàn)連接第一電子器件的第一金屬線(xiàn)的第二端和第二電子器件的第一金屬線(xiàn)的第二端。具體也可以采用蝕刻等工藝形成上述第二金屬線(xiàn)。直接采用封裝層疊技術(shù)層疊電子器件，使得電子模組的體積較小，且在電子模組的邊緣利用第二金屬線(xiàn)可以實(shí)現(xiàn)不同的電子器件之間的連接，不需要引入額外的結(jié)構(gòu)，也可以減小電子模組的體積，提升電子模組的集成度。

13、一種技術(shù)方案中，在電子元件的第一側(cè)制備第一金屬化圖形，之前包括：在電子元件的第一側(cè)塑封形成塑封結(jié)構(gòu)，塑封結(jié)構(gòu)包覆電子元件的引腳；研磨塑封結(jié)構(gòu)，形成塑封層且露出引腳。塑封結(jié)構(gòu)可以保護(hù)引腳，且塑封層作為第一金屬線(xiàn)的基面，有利于提升第一金屬線(xiàn)的固定可靠性。

14、此外，在電子元件的第一側(cè)制備第一金屬化圖形，之后包括：在電子元件的第一側(cè)形成第一阻焊層，第一阻焊層至少覆蓋第一金屬線(xiàn)。利用第一阻焊層包括第一金屬線(xiàn)，第一金屬線(xiàn)不易短路和氧化等，有利于提升電子器件的使用壽命。

15、在電子元件的第一側(cè)制備第一金屬化圖形，之前或者之后包括：在電子元件的第二側(cè)形成第一金屬層，該第二側(cè)電子元件背離第一側(cè)的一側(cè)，或者說(shuō)第一側(cè)和第二側(cè)為電子元件相背的兩側(cè)。該第一金屬層為電子器件的散熱結(jié)構(gòu)，從而提升電子元件的散熱能力，有利于增加電子模組層疊的電子器件的數(shù)量，提升電子模組的集成度。

16、為了提升電子模組的散熱能力，上述層疊電子器件中的第一電子器件和第二電子器件之后包括：在層疊后的第一電子器件和第二電子器件的側(cè)面形成第二金屬層，第二金屬層連接第一電子器件的第一金屬層和第二電子器件的第一金屬層。一方面可以提升電子模組的散熱面積；另一方面，還可以使得第一金屬層和第二金屬層形成散熱網(wǎng)絡(luò)，以提升電子模組的散熱能力。

17、第三方面，本技術(shù)還提供了一種電子組件。該電子組件包括電路板和上述第一方面提供的電子模組，該電子模組與電路板的線(xiàn)路電連接。在電子模組集成度較高的情況的，提升電子模組的性能，進(jìn)而提升電子組件的性能。

18、第四方面，本技術(shù)還提供了一種電子設(shè)備。該電子設(shè)備包括殼體和上述第一方面提供的電子模組，該電子模組設(shè)置于殼體。在電子模組集成度較高的情況的，提升電子模組的性能，進(jìn)而提升電子設(shè)備的性能。